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UPA1856GR-9R-E1-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-5.2A,RDS(ON),33mΩ@10V,40mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TSSOP8
供应商型号: UPA1856GR-9R-E1-VB TSSOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UPA1856GR-9R-E1-VB

UPA1856GR-9R-E1-VB概述

    UPA1856GR-9R-E1 Dual P-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    UPA1856GR-9R-E1 是一种双P沟道30V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用TrenchFET®工艺制造。该产品主要用于负载开关和电池切换等应用,具有低导通电阻(RDS(on))和高可靠性等特点,适用于需要高效能、小尺寸和高性能控制的应用场合。

    2. 技术参数


    - 最大耐压(VDS): 30V
    - 连续漏极电流(ID):
    - 在TA = 25°C时为-5.2A
    - 在TA = 70°C时为-4.1A
    - 脉冲漏极电流(IMD): -30A(10µs脉冲宽度)
    - 最大功率耗散(PD):
    - 在TA = 25°C时为1.14W
    - 在TA = 70°C时为0.73W
    - 绝对最高额定温度(TJ, Tstg): -55°C至150°C
    - 典型热阻(RthJA):
    - 最大值为110°C/W(瞬态124°C/W)

    3. 产品特点和优势


    - 环保无卤素设计: 符合RoHS标准,无卤素材料,更加环保。
    - 低导通电阻: 典型值为0.036Ω(在VGS = -10V时),0.055Ω(在VGS = -4.5V时),可实现高效能。
    - 优秀的动态特性: 例如,总栅电荷(Qg)为13-20nC,有助于快速开关。
    - 宽工作温度范围: 可在-55°C到150°C范围内正常工作,适应各种环境需求。
    - 高可靠性: 采用TrenchFET®工艺,提供更高的可靠性和更长的使用寿命。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 负载开关: 由于其低导通电阻和高可靠性,UPA1856GR-9R-E1非常适合用于电源管理中的负载开关,如笔记本电脑充电电路和便携式设备的电池切换。
    - 电池保护: 在电池保护电路中,可以防止过流和短路。
    使用建议:
    - 散热管理: 虽然该产品具有较低的热阻,但在高功率应用中仍需注意良好的散热设计,以确保稳定运行。
    - 应用环境: 确保在规定的温度范围内使用,以保证最佳性能和延长使用寿命。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品与多种电路板兼容,尤其是在使用FR4基板时,适合于广泛的工业和消费电子应用。
    - 支持: 供应商提供详细的技术文档和支持,用户可以访问官网获取更多信息。对于客户在使用过程中遇到的技术问题,可以通过服务热线获得帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 过热导致器件失效
    - A: 检查散热设计,增加散热片或者改进散热结构。同时,降低功率损耗,避免长时间满载运行。
    - Q: 导通电阻异常
    - A: 检查栅极电压是否在规范内,确保驱动信号稳定且无噪声干扰。如果问题依旧存在,检查是否安装正确。
    - Q: 长时间运行不稳定
    - A: 检查电路布局是否合理,特别是电路板走线和电容布局。确认电路的电容和电阻值匹配要求。

    7. 总结和推荐



    总结

    :
    UPA1856GR-9R-E1 双P沟道30V MOSFET 是一款性能优越、可靠度高的电子元器件,特别适合应用于需要高效能、低功耗和宽温工作范围的环境中。其低导通电阻和高可靠性使其成为许多电子应用的理想选择。
    推荐:
    鉴于其出色的特性和广泛的应用范围,我们强烈推荐 UPA1856GR-9R-E1 用于需要高性能和长寿命的应用中。然而,在具体应用前,建议详细阅读技术手册并咨询专业工程师的意见,以确保符合您的设计需求。

UPA1856GR-9R-E1-VB参数

参数
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 33mΩ@10V,40mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
最大功率耗散 -
配置 -
Id-连续漏极电流 5.2A
通用封装 TSSOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UPA1856GR-9R-E1-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UPA1856GR-9R-E1-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UPA1856GR-9R-E1-VB UPA1856GR-9R-E1-VB数据手册

UPA1856GR-9R-E1-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.8594
100+ ¥ 4.4995
500+ ¥ 4.1395
3000+ ¥ 3.9595
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