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K2625LS-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K2625LS-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2625LS-VB

K2625LS-VB概述

    高性能Power MOSFET技术手册解析

    一、产品简介


    Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)是现代电力电子系统中不可或缺的核心组件,广泛应用于高效率功率转换和控制。本产品以其出色的性能和多领域的适用性脱颖而出,特别适合于高要求的服务器和通信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源及各类照明系统。
    该Power MOSFET主要通过低导通电阻和极低的栅极电荷来实现高效率转换。同时,它拥有卓越的开关特性和较低的寄生损耗,适用于工业级应用及高能效需求的场景。

    二、技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压(VDS) 650 | V |
    | 栅源阈值电压(VGS(th)) | 2.5 5 | V |
    | 漏源导通电阻(RDS(on)) 1.0 Ω |
    | 栅极电荷(Qg) 16 nC |
    | 反向恢复时间(trr) 190 ns |
    | 反向恢复电荷(Qrr) 2.3 μC |
    | 工作温度范围(TJ) | -55 150 | °C |

    三、产品特点和优势


    1. 低导通损耗:RDS(on)典型值仅为1.0Ω,确保了在额定电流下的最小功率损耗。
    2. 超低栅极电荷:Qg典型值为16nC,有效降低开关频率下的能量损耗。
    3. 高可靠性:具有出色的 avalanche 能量评级,适合恶劣的工业环境。
    4. 高效开关特性:快速的开关时间和极短的反向恢复时间显著提高了整体效率。
    5. 工业应用广泛:适合高精度需求的电信、服务器电源及各类照明系统。

    四、应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在服务器和通信电源中,用于实现高效的电压调节。
    - 在HID照明系统中,提供稳定的驱动电流。
    - 在PFC电路中,配合主控芯片完成高效功率因数校正。
    使用建议:
    - 选择合适的栅极驱动电阻以优化开关速度。
    - 注意散热设计,避免因高温导致的性能下降。
    - 使用低电感布线设计,减少寄生效应影响。

    五、兼容性和支持


    本Power MOSFET完全符合RoHS标准,并采用无卤素设计,确保环保合规性。厂商提供全面的技术支持,包括详细的数据表、应用指南和测试电路图。此外,公司还提供了完善的售后服务和技术培训资源。

    六、常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关损耗过大 | 减少栅极电阻,优化开关波形。 |
    | 温度过高 | 改善散热设计,增加热沉面积。 |
    | 导通电阻异常增大 | 确保焊接质量良好,接触可靠。 |

    七、总结和推荐


    综上所述,这款Power MOSFET凭借其优秀的导通电阻、开关特性和广泛应用能力,在高效率电源管理领域表现卓越。无论是对于服务器电源还是照明控制系统,它都展现了强大的竞争力。因此,我们强烈推荐此款产品作为高效率电源设计的理想选择。
    如需进一步技术支持或定制化解决方案,可随时联系我们的服务热线:400-655-8788。

K2625LS-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
配置 -
Id-连续漏极电流 7A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2625LS-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2625LS-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2625LS-VB K2625LS-VB数据手册

K2625LS-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
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