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K14A55D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
供应商型号: K14A55D-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K14A55D-VB

K14A55D-VB概述

    # K14A55D-VB N-Channel 550V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    K14A55D-VB 是一款 N-Channel 550V(D-S)功率 MOSFET,专为需要高效能和高可靠性的多种应用设计。它具有低输入电容、低电阻区和快速开关时间的特点,广泛应用于消费电子产品、服务器及电信电源供应、工业焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器及电源因数校正(PFC)等领域。

    技术参数


    静态参数
    - 最大漏源电压 (VDS):550V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):25°C时0.26Ω
    - 总栅极电荷 (Qg):150nC
    - 栅源电荷 (Qgs):12nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):25nC
    - 门限电压范围 (VGS(th)):2V 至 4V
    - 门源漏电流 (IDSS):≤ 1μA (VDS=400V, VGS=0V, TJ=125°C)
    - 突发瞬时雪崩能量 (EAS):281mJ
    动态参数
    - 输入电容 (Ciss):3094pF
    - 输出电容 (Coss):152pF
    - 反向传输电容 (Crss):13pF
    - 有效输出电容 (Coer):131pF
    - 有效输出电容 (Cotr):189pF
    绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS):550V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏极电流 (TJ=150°C):11A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):56A
    - 最大功率耗散 (PD):60W
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 至 +150°C
    其他
    - 热阻抗 (RthJA):40°C/W
    - 热阻抗 (RthJC):0.45°C/W

    产品特点和优势


    K14A55D-VB N-Channel 550V MOSFET 采用了优化设计,拥有低区域特定导通电阻 (RON),低输入电容 (Ciss) 和降低的电容切换损耗。此外,它还具备较高的体二极管鲁棒性和重复性额定 avalanche 能量 (UIS)。这些特性使其非常适合用于对效率和操作可靠性要求较高的应用场合。

    应用案例和使用建议


    K14A55D-VB 在多种应用中表现出色,特别是在消费电子领域,如液晶电视和等离子电视的显示器。它同样适用于服务器和电信电源供应、焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器及电源因数校正 (PFC) 系统。在实际使用中,建议用户在选择合适的栅极驱动电路时,确保能够承受较高的 VGS 电压以防止过压损坏。同时,考虑散热措施,以避免长时间工作导致结温过高。

    兼容性和支持


    K14A55D-VB 具有良好的兼容性,可以与同类电子元器件和设备无缝集成。制造商提供了详细的技术文档和支持服务,确保用户在应用过程中能够获得必要的帮助和技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. Q:如何避免过压损坏?
    A:确保选用合适的栅极驱动电路,并设置适当的保护机制,如增加限流电阻。
    2. Q:如何提高散热效果?
    A:采用有效的散热设计,如安装散热片或使用水冷系统,以确保器件在安全工作范围内运行。
    3. Q:为何出现过热问题?
    A:检查负载情况和工作条件,确保不超过最大额定值。必要时调整电路设计以减少热量产生。

    总结和推荐


    K14A55D-VB N-Channel 550V MOSFET 是一款高性能的电子元件,适合于高可靠性需求的应用场合。其独特的设计和卓越的性能使其在市场上具有较强的竞争力。我们强烈推荐这款产品用于需要高效率和稳定性的各种应用中。

K14A55D-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 550V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Id-连续漏极电流 18A
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@ 10V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K14A55D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K14A55D-VB数据手册

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K14A55D-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.8305
100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
1000+ ¥ 4.9667
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型号 价格(含增值税)
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