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UT4822G-S08-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,8.5A,RDS(ON),20mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: UT4822G-S08-R-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT4822G-S08-R-VB

UT4822G-S08-R-VB概述

    Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 是一种高性能的电源管理芯片,主要用于笔记本系统电源管理和低电流直流-直流转换器。其独特的设计使其在多种应用场景中表现出色,包括但不限于移动设备、服务器和消费电子产品。

    技术参数


    - 电压参数
    - 漏源击穿电压 (VDS): 30 V
    - 最大漏源电压 (VDS): 30 V
    - 最大栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 电流参数
    - 连续漏极电流 (ID): 8.5 A(TC = 25 °C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 30 A
    - 源漏二极管电流 (IS): 2.8 A(TC = 25 °C)
    - 电阻参数
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):
    - 在 VGS = 10 V, ID = 8 A 时为 0.016 Ω
    - 在 VGS = 4.5 V, ID = 5 A 时为 0.020 Ω
    - 电容参数
    - 输入电容 (Ciss): 660 pF
    - 输出电容 (Coss): 140 pF
    - 反向转移电容 (Crss): 86 pF
    - 热阻参数
    - 最大结壳热阻 (RthJA): 52 °C/W (最大)
    - 最大结脚热阻 (RthJF): 30 °C/W (最大)
    - 其他参数
    - 最大功率耗散 (PD): 3.1 W(TC = 25 °C)
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS): 1 µA (VDS = 30 V, VGS = 0 V)

    产品特点和优势


    Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 具备以下独特功能和优势:
    - TrenchFET™ Power MOSFET 技术,提高效率和可靠性。
    - 100% Rg 测试 和 100% UIS 测试,确保产品性能稳定。
    - 符合 RoHS 指令 2002/95/EC,环保无铅。
    - 适用于高温环境,工作温度范围宽(-55°C 至 150°C)。

    应用案例和使用建议


    该产品广泛应用于笔记本系统电源管理和低电流直流-直流转换器中。在使用过程中,建议:
    - 确保 PCB 设计符合推荐最小焊盘尺寸,以保证良好的散热效果。
    - 根据具体应用场景调整驱动信号频率,避免因过快的开关速度导致额外损耗。
    - 在高功率应用中,需要额外考虑散热措施,如加装散热片或散热风扇,以保持最佳性能。

    兼容性和支持


    Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 具有出色的兼容性,可与多种电路板和电子设备无缝集成。制造商提供全面的技术支持,包括在线文档、应用指南和技术咨询热线,确保用户能够快速解决问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关损耗过高
    - 解决办法: 调整栅极电阻,优化驱动信号频率,减少开关损耗。

    - 问题2: 发热严重
    - 解决办法: 使用更大尺寸的散热片或增加散热风扇,改善散热条件。

    总结和推荐


    综上所述,Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 在电源管理领域具有出色的表现和广泛应用前景。其高性能、高可靠性以及广泛的温度适应性使其成为笔记本系统电源和低电流直流-直流转换器的理想选择。强烈推荐在相关应用中采用此产品。

UT4822G-S08-R-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 20mΩ@10V,12mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 8.5A
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
栅极电荷 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT4822G-S08-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT4822G-S08-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT4822G-S08-R-VB UT4822G-S08-R-VB数据手册

UT4822G-S08-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
4000+ ¥ 1.1597
库存: 400000
起订量: 20 增量: 4000
交货地:
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型号 价格(含增值税)
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