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STP20NK50Z-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 用于工业电机调速控制的电力电子调速器中,该型号的MOSFET可以实现高效的电能转换和调节,提高设备的运行效率。
供应商型号: STP20NK50Z-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) STP20NK50Z-VB

STP20NK50Z-VB概述


    产品简介


    STP20NK50Z 是一款高性能的 N-通道超级结 MOSFET,专为多种电力应用设计。该产品具备低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg),适用于服务器和电信电源、照明系统(如高强度放电灯和荧光灯)、消费及计算设备(如 ATX 电源)、工业焊接设备、电池充电器、太阳能光伏逆变器等领域。STP20NK50Z 在高功率转换应用中表现出色,能够显著提高能效并减少开关损耗。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压(VDS) | 650 | V |
    | 最大导通电阻(RDS(on))| 0.19 | Ω |
    | 最大总栅极电荷(Qg) | 106 | nC |
    | 输入电容(Ciss) | 2322 | pF |
    | 输出电容(Coss) | 105 | pF |
    | 有效输出电容(Co(tr))| 293 | pF |
    | 有效输出电容(Co(er))| 84 | pF |
    | 漏源极间雪崩能量(EAS)| 367 | mJ |

    产品特点和优势


    1. 低开关损耗:STP20NK50Z 通过减少反向恢复时间和栅极电荷,显著降低了开关损耗。
    2. 高可靠性:具备高耐压能力和低漏电流,适合高功率应用。
    3. 出色的热管理:具有良好的热阻特性,能够在高温环境下稳定工作。
    4. 低输入电容:输入电容低,减少了门极驱动电路的负担。
    5. 优化的结构设计:超级结结构使得该器件能够在较高电压下保持低导通电阻。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电信电源:STP20NK50Z 在电信领域的应用中表现优异,可用于高效转换电源。
    - 工业焊接:在工业焊接设备中,STP20NK50Z 可提供稳定的电流控制和高效的能效。
    使用建议
    - 散热设计:为了确保最佳性能,应设计良好的散热系统,特别是在高功率应用中。
    - 栅极驱动:使用合适的栅极驱动器以减少栅极振荡和噪声。
    - 布局优化:在 PCB 设计时,应尽量减小引线电感,保证良好的接地平面,从而提高整体性能。

    兼容性和支持


    STP20NK50Z 与其他标准 TO-220AB 封装的电子元器件具有良好的兼容性,可以方便地集成到现有的电路板设计中。制造商提供了详细的技术支持文档和应用指南,以便客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问:STP20NK50Z 是否适用于高频开关应用?
    - 答:是的,该产品适用于高频开关应用,但需要特别注意散热设计和栅极驱动电路。

    2. 问:如何减少栅极振荡?
    - 答:可以通过优化 PCB 布局、增加栅极电阻或使用专门的栅极驱动器来减少栅极振荡。

    总结和推荐


    总体而言,STP20NK50Z 是一款高性能的 N-通道超级结 MOSFET,具备低导通电阻、低栅极电荷和出色的开关性能。其广泛的适用范围和优异的电气特性使其成为众多高功率转换应用的理想选择。强烈推荐在电信、工业焊接、太阳能光伏逆变器等高功率应用中使用 STP20NK50Z。

STP20NK50Z-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 20A
Vgs-栅源极电压 30V
配置 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

STP20NK50Z-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

STP20NK50Z-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 STP20NK50Z-VB STP20NK50Z-VB数据手册

STP20NK50Z-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 10.7972
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1000+ ¥ 9.5015
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