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KHB7D5N60F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V)\n一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: KHB7D5N60F-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KHB7D5N60F-VB

KHB7D5N60F-VB概述

    KHB7D5N60F N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    KHB7D5N60F 是一款由 VBsemi 公司生产的 N-Channel MOSFET(N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电源转换和驱动电路应用。该 MOSFET 的主要特征包括低栅极电荷、高可靠性以及完全测试的电容和雪崩电压电流特性。KHB7D5N60F 符合 RoHS 指令 2002/95/EC,为绿色环保电子产品提供可靠的保障。

    技术参数


    以下是 KHB7D5N60F 的技术规格和性能参数:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压 (VDS) | 650 | V |
    | 栅源阈值电压 (VGS(th)) | 2.0 ~ 4.0 | V |
    | 零栅源电压漏电流 (IDSS) | 25 | μA |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 2.5 | Ω |
    | 输入电容 (Ciss) | 1080 | pF |
    | 输出电容 (Coss) | 177 | pF |
    | 转移电容 (Crss) | 7.0 | pF |
    | 总栅电荷 (Qg) | 48 | nC |
    | 栅源电荷 (Qgs) | 12 | nC |
    | 栅漏电荷 (Qgd) | 19 | nC |
    | 绝对最大结温 (Tj) | -55 ~ +150 | °C |
    | 最大功率耗散 (PD) | 30 | W |
    | 线性降额因子 | 0.48 | W/°C |

    产品特点和优势


    KHB7D5N60F 具有以下独特功能和优势:
    - 低栅极电荷 (Qg):KHB7D5N60F 仅需简单的驱动要求,降低了驱动电路的设计复杂度。
    - 高可靠性:改善了栅极、雪崩和动态 dv/dt 的坚固性,提升了产品的可靠性和耐用性。
    - 全面测试的电容和雪崩特性:确保在各种极端条件下都能稳定工作,提高了应用的安全性和稳定性。
    - RoHS 合规:符合欧盟的 RoHS 指令,为环保电子产品提供了可靠保障。

    应用案例和使用建议


    KHB7D5N60F 主要应用于各种电源转换和驱动电路,例如开关电源、电机驱动和逆变器等。其典型应用场景如下:
    - 开关电源:利用其低栅极电荷和低导通电阻特性,实现高效的能量转换。
    - 电机驱动:具备高可靠性和低栅极电荷特性,适合在严苛环境下运行。
    - 逆变器:完全测试的电容和雪崩特性使其在高频和高压环境下表现优异。
    使用建议:
    - 在设计电路时,需要考虑栅极电荷的影响,合理选择驱动电路参数以保证 MOSFET 的稳定工作。
    - 在高功率应用中,注意散热设计,确保 MOSFET 工作在允许的温度范围内。

    兼容性和支持


    KHB7D5N60F 兼容大多数标准电源和驱动电路,可与市面上常见的控制器和驱动器配合使用。VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,包括产品咨询、技术支持和故障排除等。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 高温下工作不稳定 | 检查散热设计,确保 MOSFET 温度在允许范围内 |
    | 栅极信号不稳定 | 确保栅极驱动信号质量,减少外部干扰 |
    | 开关损耗高 | 调整栅极电荷参数,优化驱动电路 |

    总结和推荐


    KHB7D5N60F N-Channel MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元器件,适用于多种电源转换和驱动电路。其低栅极电荷和高可靠性特性使其在众多应用中表现出色。考虑到其广泛的应用范围和卓越的性能,强烈推荐在相关项目中采用 KHB7D5N60F。
    如有任何疑问或需要进一步的支持,请联系 VBsemi 官方客服,服务热线:400-655-8788。

KHB7D5N60F-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 4A
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

KHB7D5N60F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KHB7D5N60F-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KHB7D5N60F-VB KHB7D5N60F-VB数据手册

KHB7D5N60F-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
交货地:
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型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
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