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UPA679TB-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N+P—Channel沟道,±20V,2.5/-1.5A,RDS(ON),130/230mΩ@4.5V,160/280mΩ@2.5V,20Vgs(±V);±0.6~2Vth(V) 封装:SC70-6
供应商型号: UPA679TB-VB SC70-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UPA679TB-VB

UPA679TB-VB概述

    UPA679TB MOSFET 技术手册

    产品简介


    UPA679TB 是一种高效率的N-通道和P-通道沟槽式场效应晶体管(TrenchFET®),适用于多种便携式电子设备的负载开关应用。这款MOSFET采用SC-70封装,具有出色的热性能和快速开关特性。它符合RoHS标准,并且不含卤素材料。

    技术参数


    绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS):±20 V
    - 栅源电压 (VGS):±20 V
    - 连续漏电流 (TJ = 150°C):3.28 A (N-Channel), 2.80 A (P-Channel)
    - 最大脉冲漏电流 (IDM):9.5 A (N-Channel), 8.5 A (P-Channel)
    - 最大功率耗散:1.24 W (N-Channel), 1.10 W (P-Channel)
    静态参数:
    - 栅极阈值电压 (VGS(th)):
    - N-Channel:0.45 V 至 1 V
    - P-Channel:-0.45 V 至 1 V
    - 零栅压漏电流 (IDSS):
    - N-Channel:1 µA (TJ = 25°C),5 µA (TJ = 85°C)
    - P-Channel:-1 µA (TJ = 25°C),-5 µA (TJ = 85°C)
    动态参数:
    - 总栅极电荷 (Qg):
    - N-Channel:1.25 nC 至 2 nC
    - P-Channel:1.2 nC 至 1.8 nC
    - 上升时间 (tr):
    - N-Channel:22 ns 至 35 ns
    - P-Channel:25 ns 至 40 ns

    产品特点和优势


    - 高效能:UPA679TB 在多种电压条件下表现出色的RDS(on)电阻,确保低功耗和高效的能量转换。
    - 快速开关:快速开关特性能有效减少开关损耗,提高整体系统效率。
    - 热管理:采用SC-70封装,具备良好的热性能,能够在宽温度范围内稳定工作。
    - 环保材料:符合RoHS标准,并且不含卤素材料,符合环保要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 负载开关:适用于智能手机、平板电脑等便携式电子设备中的负载开关电路。
    使用建议:
    - 在设计时需要考虑系统的散热需求,确保MOSFET的工作温度不超过其最大额定值。
    - 选择合适的栅极驱动器以满足所需的开关速度。

    兼容性和支持


    - 兼容性:UPA679TB 与主流的电路板设计工具和测试设备兼容,方便集成到现有系统中。
    - 支持和服务:台湾VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,帮助客户解决任何技术问题。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    - 问题:MOSFET工作时过热。
    - 解决方案:增加散热片或者优化电路布局以改善散热效果。
    常见问题:
    - 问题:MOSFET无法正常开关。
    - 解决方案:检查栅极驱动信号是否正确,确认驱动电压和频率满足要求。

    总结和推荐


    UPA679TB 是一款高性能的N-通道和P-通道MOSFET,适合于便携式电子设备的负载开关应用。它的低导通电阻和快速开关特性使其在高效能电力管理系统中具有显著的优势。对于寻求高可靠性和高效率解决方案的设计工程师来说,UPA679TB 是一个理想的选择。
    总之,UPA679TB MOSFET 凭借其优秀的性能、快速开关和环保特性,非常适合应用于便携式设备中。强烈推荐将其用于各种便携式电子产品中,以提升系统的总体性能和可靠性。

UPA679TB-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 ±20V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 ±600mV~2V
Id-连续漏极电流 2.5A,1.5A
Rds(On)-漏源导通电阻 130/230mΩ@4.5V,160/280mΩ@2.5V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 N+P沟道
配置 -
通用封装 SC-70-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UPA679TB-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UPA679TB-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UPA679TB-VB UPA679TB-VB数据手册

UPA679TB-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
35+ ¥ 0.7779
100+ ¥ 0.7203
500+ ¥ 0.6915
3000+ ¥ 0.6627
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