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K1318-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,18A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F适用于多种低功率功率电子应用。其特点包括高漏极-源极电压和低阈值电压,适合要求高效率和低功率的电源和驱动器应用。
供应商型号: K1318-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1318-VB

K1318-VB概述

    K1318-VB N-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    K1318-VB 是一款高可靠性、适用于多种应用场合的 N-Channel 100-V MOSFET。该器件具备高电压隔离、低热阻、动态 dv/dt 额定值等特点,使其在高功率转换应用中表现出色。这款 MOSFET 主要用于工业控制、电源管理及汽车电子等领域。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 漏源电压(VDS): 100 V
    - 最大栅源电压(VGS): ±20 V
    - 连续漏电流(ID): 25 °C 时 18 A,100 °C 时 12 A
    - 脉冲漏电流(IDM): 68 A
    - 最大结到壳电阻(RthJC): 3.1 °C/W
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS): 720 mJ
    - 最大重复雪崩电流(IAR): 17 A
    - 最大重复雪崩能量(EAR): 4.8 mJ
    - 最大功耗(PD): 48 W
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压(VDS): 100 V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)): 1.0-3.0 V
    - 零栅电压漏极电流(IDSS): 25 µA
    - 导通电阻(RDS(on)): 0.086 Ω(当 VGS = 10 V,ID = 10 A)
    - 动态参数:
    - 输入电容(Ciss): 1700 pF
    - 输出电容(Coss): 560 pF
    - 反向传输电容(Crss): 120 pF
    - 总门极电荷(Qg): 2 nC(当 ID = 17 A,VDS = 80 V)
    - 门极-源极电荷(Qgs): 11 nC
    - 门极-漏极电荷(Qgd): 32 nC
    - 其他参数:
    - 最高结温和存储温度范围(TJ, Tstg): -55 °C 到 +175 °C
    - 引脚到引脚爬电距离: 4.8 mm
    - 内部门极电感(LD): 4.5 nH
    - 内部源极电感(LS): 7.5 nH

    产品特点和优势


    - 高电压隔离: K1318-VB 具备高达 2.5 kVRMS 的高电压隔离,可有效防止电磁干扰和保护下游电路。
    - 动态 dv/dt 额定值: 支持快速开关操作,满足高性能应用需求。
    - 低热阻: 较低的热阻有助于散热,提高器件的可靠性和使用寿命。
    - 宽工作温度范围: 能够在 -55 °C 至 +175 °C 的极端温度下稳定工作,适应各种恶劣环境。
    - 无铅化: 环保材料,符合RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    - 应用场景:
    - 工业自动化设备中的电机驱动
    - 开关电源中的功率转换模块
    - 汽车电子中的电池管理系统

    - 使用建议:
    - 在高电流应用中,注意选择合适的散热措施,避免过热损坏。
    - 根据具体应用要求,合理设置门极电阻以优化开关速度和功耗。
    - 在开关电源设计中,考虑使用缓冲电路以减少电压尖峰。

    兼容性和支持


    - 兼容性: K1318-VB 可与其他标准 MOSFET 管脚兼容,便于替换和升级。
    - 支持: 台湾 VBsemi 电子有限公司提供全方位的技术支持和服务,包括产品咨询、应用技术支持和售后服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 如何选择合适的散热器?
    - 解答: 根据实际应用场景计算热阻并选择合适尺寸的散热器,必要时添加风扇或水冷装置以增强散热效果。

    - 问题: 如何确定门极电阻(RG)值?
    - 解答: 通过仿真工具和实验数据来优化 RG 值,确保开关速度和功耗之间的平衡。

    - 问题: MOSFET 发生过温保护怎么办?
    - 解答: 检查散热系统,降低负载电流,必要时更换更高散热效率的 MOSFET 或增加散热片。

    总结和推荐


    K1318-VB N-Channel 100-V MOSFET 具有高可靠性、宽工作温度范围和良好的性能表现,非常适合在工业控制、电源管理和汽车电子等应用中使用。鉴于其出色的特性及适用范围,我们强烈推荐使用 K1318-VB 进行新项目开发。同时,台湾 VBsemi 提供的全面技术支持也确保了产品在实际应用中的顺利部署。

K1318-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@10V,120mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 18A
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1318-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1318-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K1318-VB K1318-VB数据手册

K1318-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
1000+ ¥ 1.987
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