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TSM85N10CZ-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,100A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220适用于需要高电压耐受能力、低导通电阻和稳定性的领域和模块,如电源模块、电动汽车电机控制、工业驱动器和光伏逆变器等。
供应商型号: TSM85N10CZ-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) TSM85N10CZ-VB

TSM85N10CZ-VB概述

    N-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    N-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET 是一款高可靠性、高性能的场效应晶体管(FET),适用于各种高电压、高温的应用场景。这种 MOSFET 基于先进的 TrenchFET® 技术,具备出色的导电能力和低导通电阻。主要用于汽车、工业控制、电源转换等领域,能够满足对高温度和高电流的需求。

    2. 技术参数


    - 电气参数
    - 漏源电压 \(V{DS}\): 100V
    - 栅源电压 \(V{GS}\): ±20V
    - 连续漏极电流 \(ID\): 100A (在 \(TJ = 150 ^{\circ}C\) 下)
    - 脉冲漏极电流 \(I{DM}\): 300A
    - 单脉冲雪崩电流 \(I{AS}\): 75A
    - 单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\): 280mJ
    - 最大功耗 \(PD\): 250W (在 \(TA = 25^{\circ}C\) 下)
    - 热阻
    - 结到环境热阻 \(R{thJA}\): 62.5 °C/W (自由空气下)
    - 结到外壳热阻 \(R{thJC}\): 0.6 °C/W
    - 工作环境
    - 工作结温范围: \(-55^{\circ}C\) 至 \(175^{\circ}C\)
    - 存储温度范围: \(-55^{\circ}C\) 至 \(175^{\circ}C\)

    3. 产品特点和优势


    这款 MOSFET 具有以下特点和优势:
    - 高耐温性: 最大结温可达 \(175^{\circ}C\),适合在高温环境中稳定运行。
    - 高可靠性: 符合 RoHS 标准,适用于环保要求高的应用场景。
    - 低导通电阻: 在 \(V{GS} = 10V\) 时,\(R{DS(on)}\) 可低至 \(0.009\Omega\)。
    - 快速开关: 具备优秀的开关特性,确保高效能转换。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 工业控制系统: 用于驱动电机和其他高功率负载,能够提供稳定的电流输出。
    - 汽车电子: 适用于电动车和混合动力车的高压电源转换模块。
    - 电源转换: 作为开关器件应用于高效率的直流到直流转换器。
    使用建议:
    - 散热设计: 由于该器件具有较高的功耗,需配合有效的散热设计,例如使用大尺寸散热片。
    - 保护电路: 建议增加过流保护电路,防止意外电流冲击损坏器件。
    - 测试验证: 在批量生产前进行充分的测试验证,确保符合所有设计指标。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 该 MOSFET 采用标准 TO-220AB 封装,可以与市面上大多数相同封装的其他器件兼容。
    - 支持: 生产商提供详尽的技术文档和应用指南,并设有客户服务热线(400-655-8788),以解答客户的技术疑问。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 高温环境下 MOSFET 功能异常。
    - 解决方案: 确保使用适当的散热措施,如加装散热片,同时检查电路设计是否存在热问题。

    - 问题2: 开关过程中出现振荡现象。
    - 解决方案: 适当调整栅极电阻值,确保适当的栅极驱动信号,减少寄生电容的影响。

    - 问题3: 电流超出额定值导致损坏。
    - 解决方案: 增加电流保护电路,设置合适的保护阈值,确保器件不会受到过大的电流冲击。

    7. 总结和推荐


    综上所述,这款 N-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET 以其卓越的电气性能和高可靠性,特别适用于高温、高功率的应用场景。其独特的 TrenchFET® 技术使其在市场上具有较强的竞争优势。因此,我们强烈推荐在需要高可靠性的工业控制、汽车电子和电源转换领域使用此款 MOSFET。

TSM85N10CZ-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
配置 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,20mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 100A
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

TSM85N10CZ-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

TSM85N10CZ-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 TSM85N10CZ-VB TSM85N10CZ-VB数据手册

TSM85N10CZ-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 3.4551
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