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K2569ZN-TR-E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3 适用于低功率电路应用。其特点是低漏极电流和低功耗,适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。采用Trench技术,具有较高的栅极-源极电阻,适合用于低功率应用。
供应商型号: K2569ZN-TR-E-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2569ZN-TR-E-VB

K2569ZN-TR-E-VB概述

    N-Channel 60-V MOSFET 技术手册



    1. 产品简介



    本手册介绍的是VBsemi公司生产的N-Channel 60-V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),该产品广泛应用于各种电子设备中。该MOSFET具备低导通电阻、快速开关速度及优秀的漏电流控制等特性,能够有效地用于逻辑电平接口、驱动电路及电池供电系统等领域。


    2. 技术参数



    - 电气特性
    - 漏源电压 \( V_{DS} \): 60 V
    - 栅极-阈值电压 \( V_{GS(th)} \): 1 至 2.5 V
    - 漏源导通电阻 \( R_{DS(on)} \): 2.8 Ω @ V_{GS} = 10 V, 250 mA
    - 最大持续漏极电流 \( I_D \): 250 mA @ T_A = 25 °C
    - 脉冲漏极电流 \( I_{DM} \): 800 mA
    - 零栅压漏电流 \( I_{DSS} \): 1 µA @ V_{DS} = 60 V
    - 工作环境
    - 最高工作温度 \( T_J \): 150 °C
    - 储存温度范围 \( T_{STG} \): -55 至 150 °C
    - 其他参数
    - 电源功率 \( P_D \): 0.3 W @ T_A = 25 °C
    - 热阻 \( R_{thJA} \): 350 °C/W
    - 传输电容 \( C_{iss} \): 25 pF
    - 开启时间 \( t_{d(on)} \): 20 ns
    - 关闭时间 \( t_{d(off)} \): 30 ns


    3. 产品特点和优势



    该N-Channel 60-V MOSFET具有以下显著特点和优势:
    - 低阈值电压:2 V(典型)
    - 低输入电容:25 pF
    - 快速开关速度:25 ns
    - 低输入和输出漏电流
    - 1200V ESD保护
    - 符合RoHS标准

    这些特点使其特别适用于逻辑电平接口、驱动电路以及电池供电系统等领域。特别是其低输入电容和低阈值电压使得其易于驱动,同时高开关速度适合高速电路设计。


    4. 应用案例和使用建议



    该产品常被用于直接逻辑电平接口(如TTL/CMOS)、驱动各种设备(如继电器、电磁铁、灯泡、锤子、显示器、存储器、晶体管等)以及电池供电系统。

    使用建议:
    - 温度管理:由于最高工作温度为150°C,需要注意散热,特别是在高温环境下使用时。
    - 电路设计:由于其快速开关特性,设计时需考虑电路布局以减少寄生电容的影响。


    5. 兼容性和支持



    该产品具有良好的兼容性,可与多种电子元器件和设备配套使用。制造商提供相应的技术支持,包括文档、样本和其他相关资料。


    6. 常见问题与解决方案



    - 问题一:温度过高导致设备损坏。
    - 解决方案:增加散热片,改善通风,确保周围环境温度不超过最大额定值。
    - 问题二:开关速度不够快。
    - 解决方案:优化电路设计,减小线路电容。


    7. 总结和推荐



    该N-Channel 60-V MOSFET在性能、稳定性和可靠性方面表现优异,非常适合逻辑电平接口和高速电路设计。其低输入电容和快速开关特性使其成为驱动各种负载的理想选择。建议在相关应用场景中优先考虑此产品。

    总体而言,该产品是一款高性能的电子元器件,在其应用领域表现出色,值得推荐。

K2569ZN-TR-E-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
配置 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 300mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K2569ZN-TR-E-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2569ZN-TR-E-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2569ZN-TR-E-VB K2569ZN-TR-E-VB数据手册

K2569ZN-TR-E-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
140+ ¥ 0.1945
300+ ¥ 0.1801
500+ ¥ 0.1729
3000+ ¥ 0.1657
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型号 价格(含增值税)
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