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STM8403-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款双 N 型和 P 型沟道功率 MOSFET,采用槽沟技术制造。该产品具有双极性设计,能够同时控制正负极电流,适用于各种功率控制和开关应用。封装为 SOP8,易于安装和集成,适用于各种电路设计。±30V,9/-6A,RDS(ON),15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.65Vth(V)
供应商型号: STM8403-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) STM8403-VB

STM8403-VB概述

    # STM8403 N-Channel and P-Channel 30V MOSFET 技术手册

    产品简介


    STM8403 是一款高性能的 N-Channel 和 P-Channel 30V(D-S)MOSFET,采用 TrenchFET® 功率技术。这种 MOSFET 主要应用于电机驱动和便携式电源银行等领域。通过严格的质量控制和测试,确保其在各种复杂环境下的稳定性和可靠性。

    技术参数


    N-Channel MOSFET
    - 漏源电压(VDS):30V
    - 连续漏极电流(ID):
    - TC = 25°C 时:8A
    - TA = 25°C 时:6.8A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):40A
    - 零栅压漏极电流(IDSS):1μA @ VDS = 30V, VGS = 0V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):0.018Ω @ VGS = 10V, ID = 6.8A
    - 输入电容(Ciss):510pF @ VDS = 20V, VGS = 0V, f = 1MHz
    - 总栅极电荷(Qg):6nC @ VDS = 20V, VGS = 10V, ID = 10A
    - 热阻(RthJA):50°C/W
    P-Channel MOSFET
    - 漏源电压(VDS):30V
    - 连续漏极电流(ID):
    - TC = 25°C 时:8A
    - TA = 25°C 时:6.6A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):40A
    - 零栅压漏极电流(IDSS):-1μA @ VDS = -30V, VGS = 0V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):0.040Ω @ VGS = -10V, ID = -8A
    - 输入电容(Ciss):620pF @ VDS = -20V, VGS = 0V, f = 1MHz
    - 总栅极电荷(Qg):41.5nC @ VDS = -20V, VGS = -10V, ID = -10A
    - 热阻(RthJA):47°C/W

    产品特点和优势


    STM8403 具有以下特点和优势:
    - TrenchFET® 功率技术:低导通电阻和高耐压。
    - 100% Rg 和 UIS 测试:保证产品质量和稳定性。
    - 符合 RoHS 标准:环保无卤素。
    - 出色的温度性能:可在 -55°C 到 150°C 的宽温度范围内工作。
    - 优异的电气特性:包括低导通电阻和高击穿电压。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    STM8403 在电机驱动和便携式电源银行中表现卓越。例如,在电动工具的电机驱动系统中,STM8403 可以有效降低功耗并提高效率。
    使用建议
    - 散热管理:建议采用有效的散热措施,如散热片或风扇,以避免过热。
    - 电路布局:注意 PCB 布局,确保良好的电流回路路径和接地设计。
    - 测试验证:在实际应用前,建议进行充分的测试验证,以确保系统稳定性。

    兼容性和支持


    STM8403 支持多种封装形式,方便客户根据需求选择。厂商提供详尽的技术支持和维护服务,帮助客户解决在使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 过温保护
    2. 电路稳定性
    解决方案
    1. 过温保护:安装散热器或风扇,及时移除过热点。
    2. 电路稳定性:检查电路设计,确保良好接地和正确的 PCB 布局。

    总结和推荐


    综上所述,STM8403 是一款高性能、高可靠性的 N-Channel 和 P-Channel 30V MOSFET,适用于多种应用场景。其出色的电气特性和广泛应用范围使其在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐给需要高性能 MOSFET 的用户。

STM8403-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 ±1.65V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 9A,6A
FET类型 N+P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 ±30V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V
通道数量 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

STM8403-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

STM8403-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 STM8403-VB STM8403-VB数据手册

STM8403-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
4000+ ¥ 1.1597
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