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U1N60HA-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,2A,RDS(ON),4300mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO251 可用于电源管理模块、太阳能光伏逆变器、 LED驱动器、电动工具驱动器等产品,产品具有高漏极电阻和低漏极电流,适用于多种领域和模块。
供应商型号: U1N60HA-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) U1N60HA-VB

U1N60HA-VB概述

    U1N60HA MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    U1N60HA 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,适用于多种高效率开关电源设计和电机驱动应用。该器件具有低栅极电荷(Qg),简化了驱动要求,能够承受重复的雪崩击穿和高瞬态电压变化(dV/dt),从而提供了卓越的可靠性。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 最大漏源电压(VDS):650 V
    - 最大连续漏电流(ID):1.28 A
    - 最大脉冲漏电流(IDM):8 A
    - 雪崩能量(EAS):165 mJ
    - 最大功耗(PD):45 W
    - 峰值二极管恢复电压(dV/dt):2.8 V/ns
    - 最大峰值电流(IAS):2 A
    - 最大重复雪崩能量(EAR):6 mJ
    - 特性参数
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):2.0 V 至 4.0 V
    - 零门电压漏电流(IDSS):最大 25 μA
    - 导通电阻(RDS(on)):典型值为 4.0 Ω @ VGS = 10 V, ID = 1 A
    - 输入电容(Ciss):典型值 417 pF @ VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1.0 MHz
    - 输出电容(Coss):典型值 45 pF
    - 有效输出电容(Coss eff.):VDS = 0 V 至 520 V
    - 切换时间
    - 开启延时时间(td(on)):14 ns
    - 上升时间(tr):20 ns
    - 关闭延时时间(td(off)):34 ns
    - 下降时间(tf):18 ns

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷:低栅极电荷使得驱动更加简单,减少了驱动电路的复杂度和成本。
    - 耐高瞬态电压变化:该器件能够在高瞬态电压变化(dV/dt)下工作,提高了在高压应用中的可靠性。
    - 雪崩击穿保护:通过完全表征的电容和雪崩电压及电流特性,确保了更高的可靠性和稳定性。
    - 环保认证:符合 RoHS 和无卤素标准,符合现代电子产品环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关电源:适用于各种开关电源设计,特别是在需要高效能和高可靠性的地方。
    - 电机驱动:用于电机驱动应用,提供快速响应和高效率。
    - 使用建议:在使用过程中应注意温度控制,特别是在高温环境下需减小脉冲宽度以避免过热。此外,使用低杂散电感的布局和良好的接地平面有助于提高整体性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:U1N60HA 可与大多数现有的 N 沟道 MOSFET 电路兼容,广泛应用于工业和消费类电子产品。
    - 技术支持:厂商提供详尽的技术文档和支持,包括电气特性测试电路图、应用电路图以及详细的参数表,帮助用户更好地理解和使用该器件。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:在高瞬态电压下出现异常电流?
    - 解决方案:检查电路中是否有未隔离的瞬态电压源,并增加保护电路以防止瞬间电流冲击。
    - 问题:器件在高温下工作不稳定?
    - 解决方案:确保电路设计中有适当的散热措施,如增加散热片或使用更好的热管理策略。

    7. 总结和推荐


    U1N60HA MOSFET 以其优秀的耐压能力和高效的工作性能,在众多应用中表现出色。无论是开关电源还是电机驱动应用,它都能提供卓越的性能和可靠性。我们强烈推荐这款器件给那些对效率和可靠性有较高要求的设计者和工程师。

U1N60HA-VB参数

参数
通道数量 -
Id-连续漏极电流 2A
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4.3Ω@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

U1N60HA-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

U1N60HA-VB数据手册

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U1N60HA-VB封装设计

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