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K3677-01MR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,700V,7A,RDS(ON),750mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: K3677-01MR-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3677-01MR-VB

K3677-01MR-VB概述


    产品简介


    K3677-01MR-VB N-Channel 700V(D-S)超级结功率MOSFET
    K3677-01MR-VB 是一款高性能的 N-Channel 超级结功率 MOSFET,其主要特点是低导通电阻和高耐压能力。此器件广泛应用于服务器和电信电源系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源以及各种工业和照明应用中。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS): 700 V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.75 Ω @ VGS=10 V
    - 总栅极电荷 (Qg): 最大值为 3 nC
    - 栅极-源极电荷 (Qgs): 最大值为 3 nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd): 5 nC
    - 最大脉冲漏电流 (IDM): 2 A
    - 最大单次雪崩能量 (EAS): 7 mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 99 W
    - 绝对最高结温 (TJ): 150 °C
    - 存储温度范围 (Tstg): -55 至 +150 °C
    - 热阻 (RthJA): 最大 72 °C/W
    - 输入电容 (Ciss): 66 pF
    - 输出电容 (Coss): -
    - 反向转移电容 (Crss): -
    - 阈值电压 (VGS(th)): 2 至 4 V
    - 零栅极电压漏电流 (IDSS): 小于 1 μA @ VDS = 700 V
    - 动态参数
    - 开启延迟时间 (td(on)): -
    - 上升时间 (tr): -
    - 关断延迟时间 (td(off)): -
    - 下降时间 (tf): -
    - 静态参数
    - 静态漏源击穿电压 (VDS): 700 V
    - 漏源导通电阻温度系数 (ΔVDS/TJ): 参考 25 °C, ID = 1 mA 时 0.65 V/°C

    产品特点和优势


    K3677-01MR-VB 具有多种独特功能和优势:
    1. 低栅极电荷 (Qg): 减少开关损耗,提高效率。
    2. 低输入电容 (Ciss): 减小开关损耗。
    3. 雪崩耐受能力 (UIS): 确保在极端条件下仍能可靠工作。
    4. 低导通电阻 (RDS(on)): 提供高效能的导电路径,降低发热。
    这些特点使得 K3677-01MR-VB 在各类高效率应用中表现出色,例如服务器电源和工业控制等领域,具有较高的市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    K3677-01MR-VB 适用于多种应用场景:
    - 服务器和电信电源:用于提高电源转换效率,降低能耗。
    - 开关模式电源 (SMPS):用于减少开关损耗,提高系统可靠性。
    - 高能效照明:如 HID 和荧光灯驱动,确保灯具的高效运行。
    - 工业控制:用于需要高可靠性的环境。
    使用建议:
    - 在高温环境中使用时,确保适当的散热措施以防止过热。
    - 设计电路时,考虑其动态和静态参数,避免超过绝对最大额定值。
    - 使用过程中应遵循推荐的焊接工艺,确保连接稳定。

    兼容性和支持


    K3677-01MR-VB 与其他标准组件和系统兼容,且厂商提供详细的文档和技术支持。制造商还提供在线技术支持和快速响应的服务热线 400-655-8788,以帮助客户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:开机时器件发热严重
    - 解决方案:检查散热设计是否充分,适当增加散热片或改进散热结构。
    2. 问题:长时间使用后器件失效
    - 解决方案:确保使用温度不超出最大结温范围,定期检查和更换老化的散热材料。
    3. 问题:开关频率不稳定
    - 解决方案:检查电路布局,减小寄生电感,确保所有连接点都紧固良好。

    总结和推荐


    K3677-01MR-VB 是一款高效能的 N-Channel 700V 超级结功率 MOSFET,具有优异的性能和可靠性。其低栅极电荷和低导通电阻使其在多种高效率应用中表现出色。无论是服务器电源还是工业控制系统,这款器件都是理想的选择。因此,强烈推荐在相关项目中使用 K3677-01MR-VB。
    通过以上各方面的详细分析,可以看出 K3677-01MR-VB 不仅在技术上满足各种需求,而且在市场应用中具有广泛的适用性和竞争力。

K3677-01MR-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
Vds-漏源极击穿电压 700V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 750mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 7A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3677-01MR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3677-01MR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3677-01MR-VB K3677-01MR-VB数据手册

K3677-01MR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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