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K162-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252\n是一款性能优越的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用,具有高效、稳定和可靠的特性,可满足电源供应模块、电动工具、电动车控制器、工业自动化、LED照明不同应用的需求。
供应商型号: K162-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K162-VB

K162-VB概述


    产品简介


    本产品是一款采用TrenchFET®技术的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),型号为K162。其核心特性包括高达175°C的工作结温。这款电子元器件广泛应用于需要高效率和高可靠性电源管理的应用领域,如开关电源、马达控制、LED照明、电池充电器等。

    技术参数


    - 漏源电压(VDS):60V
    - 漏源导通电阻(rDS(on))
    - 在VGS=10V时:0.025Ω
    - 在VGS=4.5V时:0.030Ω
    - 连续漏极电流(TC=25°C):100A
    - 最高结温(TJ):175°C
    - 封装形式:TO-252
    - 输入电容(Ciss):1500pF(VGS=0V,VDS=25V,f=1MHz)
    - 输出电容(Coss):140pF
    - 反向传输电容(Crss):60pF
    - 总栅极电荷(Qg):11-17nC(VDS=30V,VGS=10V,ID=23A)

    产品特点和优势


    - 高可靠性和稳定性:能够承受高达175°C的结温,确保在极端环境下的正常运行。
    - 低导通电阻:在10V栅极电压下,导通电阻仅为0.025Ω,有助于减少功耗和发热。
    - 高抗浪涌能力:最大脉冲电流可达50A,适合瞬态电流较大的应用场景。
    - 优秀的热管理:RthJA最大值为22°C/W,有助于降低温度上升,延长使用寿命。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源:此MOSFET适用于高频开关电源,因为其低栅极电荷(Qg)有助于快速开关,从而提高转换效率。
    - 电机驱动:在电机驱动应用中,此MOSFET的高耐压和大电流能力使其成为理想的解决方案。
    - LED驱动:低导通电阻特性可有效减少损耗,提高能效。
    使用建议:
    - 确保散热设计充分,特别是在高负载和高温环境下。
    - 选择合适的栅极驱动电阻以优化开关速度和效率。
    - 避免超过绝对最大额定值(例如,绝对最大栅源电压为±20V)。

    兼容性和支持


    - 兼容性:K162 MOSFET兼容多种标准的封装,便于集成到现有的电路板设计中。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档和支持,包括应用指南和参考设计。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何正确选择栅极驱动电阻?
    - 答:选择合适的栅极驱动电阻可以优化开关速度和效率。一般而言,较低的电阻可以加快开关速度,但会增加开关损耗。可以通过仿真工具来确定最优值。
    2. 问:长时间工作在高温环境中,如何避免过热?
    - 答:通过良好的散热设计,如使用散热片和风扇,确保器件周围有足够的空气流动。另外,可以选择更大尺寸的电路板,以增加热传导路径。

    总结和推荐


    综上所述,K162 N沟道功率MOSFET凭借其高可靠性、低导通电阻和出色的热管理特性,在多个应用领域中表现出色。它特别适合于需要高效率和高可靠性的应用场合。鉴于其优越的性能和广泛的应用范围,我们强烈推荐使用此产品。
    对于需要高性能和稳定性的客户,K162 MOSFET是理想的选择。希望上述信息对您有所帮助!如果您有任何疑问或需求,请随时联系我们:服务热线400-655-8788。

K162-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
Id-连续漏极电流 45A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K162-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K162-VB数据手册

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K162-VB封装设计

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