处理中...

首页  >  产品百科  >  K3399-VB

K3399-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: K3399-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3399-VB

K3399-VB概述

    K3399-VB N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    K3399-VB 是一款 N-Channel 650V(D-S)功率 MOSFET,主要应用于服务器、电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源以及照明系统,如高强度放电(HID)灯和荧光灯镇流器。此外,它也广泛用于工业应用。这种 MOSFET 以其低导通电阻(RDS(on))和高可靠性而著称,能够在高温环境下稳定工作。

    2. 技术参数


    - 电压等级:漏源电压(VDS)最高可达 650V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):在 VGS = 10V 时,RDS(on) 为 0.47 Ω(典型值)
    - 栅极电荷(Qg):最大 43nC
    - 输入电容(Ciss):4nC(典型值)
    - 输出电容(Coss):22nC(典型值)
    - 门驱动电阻(Rg):3.5Ω
    - 连续漏极电流(ID):25°C 时 12A,100°C 时 9.4A
    - 脉冲漏极电流(IDM):45A
    - 最大功耗(PD):取决于热阻系数
    - 工作温度范围(TJ, Tstg):-55°C 至 +150°C

    3. 产品特点和优势


    - 低损耗特性:K3399-VB 的漏源导通电阻低,栅极电荷低,从而实现极低的开关损耗和传导损耗。
    - 高频响应:由于其超低栅极电荷,K3399-VB 能够实现高速开关,适合高频电路。
    - 高可靠性:通过严格的测试标准,确保其在恶劣环境下的可靠性。
    - 封装结构:采用 TO-220 全面封装,具有良好的散热性能和安装方便性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源供应:适合在高频变换器中作为主控 MOSFET 使用,特别是在需要低损耗和高效率的应用中。
    - 照明系统:可用于 HID 和荧光灯镇流器中,以提高照明系统的能效。
    - 工业应用:适合于要求高可靠性的工业电源转换器。
    使用建议:
    - 在设计电路时,确保选择合适的门驱动电阻以达到最优的开关性能。
    - 注意热管理,特别是高电流应用中,使用适当的散热片来保证 MOSFET 的正常工作温度。
    - 在高频率应用中,注意布局的寄生电感和电容,避免不必要的寄生效应。

    5. 兼容性和支持


    K3399-VB 与大多数标准电源转换器设计兼容,可以轻松集成到现有系统中。VBsemi 提供详尽的技术支持,包括数据表、应用指南和故障排除文档,客户可以通过服务热线 400-655-8788 获取进一步的帮助和支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:启动延迟时间(td(on))长
    - 解决方案:增加门极驱动电压以缩短启动延迟时间。
    - 问题:热阻过高
    - 解决方案:使用散热片并优化电路板布局,确保足够的空气流通。
    - 问题:栅极泄漏电流高
    - 解决方案:检查门极引脚和电路板的连接是否完好,必要时更换 MOSFET。

    7. 总结和推荐


    K3399-VB 是一款高效、可靠的 N-Channel 650V 功率 MOSFET,非常适合高效率电源转换和照明应用。它的低损耗特性、高可靠性和宽工作温度范围使其成为市场上极具竞争力的产品。我们强烈推荐 K3399-VB 给寻求高性能、低成本解决方案的设计工程师和制造商。
    如果您有任何进一步的需求或疑问,请联系我们的服务热线 400-655-8788。

K3399-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 12A
Vds-漏源极击穿电压 650V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3399-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3399-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3399-VB K3399-VB数据手册

K3399-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 42.75
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504