处理中...

首页  >  产品百科  >  UPA1717GR-VB

UPA1717GR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-30V,-6A,RDS(ON),40mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:SOP8\n一款单P沟道场效应晶体管(FET),用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域,包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。
供应商型号: UPA1717GR-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UPA1717GR-VB

UPA1717GR-VB概述


    产品简介


    P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
    该产品是一款P沟道30V(D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它采用了TrenchFET®技术,能够实现低导通电阻(RDS(on)),非常适合应用于各种高效率开关电源和电机驱动电路中。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | - | - | -30 | V |
    | 门极-源极电压 | VGS | ±20 V |
    | 持续漏极电流(TJ = 150°C) | ID | -5.8 | -4.1 | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | - | -30 | A |
    | 零门电压漏极电流 | IDSS | -1 | -5 | - | μA |
    | 开启状态漏极电流 | ID(on) | -20 | -5 | - | A |
    | 导通状态漏极-源极电阻 | RDS(on) | 0.033 | 0.043 | 0.056 | Ω |
    | 前向跨导 | gfs 13 S |
    | 二极管正向电压 | VSD | -0.8 | -1.1 | - | V |

    产品特点和优势


    该P-Channel 30-V MOSFET具有以下特点和优势:
    1. 低导通电阻(RDS(on)):低至0.033Ω,有效减少功耗,提高电路效率。
    2. 高可靠性:符合RoHS标准,无卤素材料,适用于高可靠性应用。
    3. 快速开关性能:出色的动态特性,如快速上升时间和下降时间,可提高系统响应速度。
    4. TrenchFET®技术:提供更高的功率密度和更好的热性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源:用于AC-DC转换器中的降压电路,实现高效能量转换。
    - 电机驱动:应用于电动车窗、电动座椅等汽车电子系统,提高驱动效率和稳定性。
    使用建议
    1. 散热设计:确保良好的散热条件,避免因温度过高导致性能下降。
    2. 驱动电路设计:确保适当的门极驱动电压和电流,避免开关过程中产生过高的电压应力。

    兼容性和支持


    该MOSFET芯片具有较强的兼容性,可以广泛应用于多种电路设计中。制造商VBsemi提供了详细的技术文档和支持,包括详细的规格说明和常见问题解答。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程不稳定 | 确保门极驱动电压满足要求,适当增加门极电阻以减少噪声干扰。 |
    | 过温保护触发 | 改善散热设计,选择合适的散热片或散热器,降低工作温度。 |
    | 电路效率低下 | 检查电路连接和焊接质量,确保各元件正常工作。 |

    总结和推荐


    综上所述,这款P-Channel 30-V MOSFET凭借其低导通电阻、高可靠性和快速开关性能,在开关电源和电机驱动等领域有着广泛的应用前景。强烈推荐在需要高效率和高性能的电路设计中使用该产品。

UPA1717GR-VB参数

参数
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 40mΩ@10V,54mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 6A
最大功率耗散 -
配置 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UPA1717GR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UPA1717GR-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UPA1717GR-VB UPA1717GR-VB数据手册

UPA1717GR-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
30+ ¥ 0.9725
100+ ¥ 0.9004
500+ ¥ 0.8644
4000+ ¥ 0.8284
库存: 400000
起订量: 30 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:30
合计: ¥ 29.17
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504