处理中...

首页  >  产品百科  >  60L02GP-VB

60L02GP-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用TO220封装,适用于各种应用场合。
供应商型号: 60L02GP-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 60L02GP-VB

60L02GP-VB概述

    60L02GP-VB N-Channel 30V MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    60L02GP-VB 是一种采用沟槽式场效应晶体管(TrenchFET®)技术的N沟道功率MOSFET。该产品具有较低的热阻抗,适用于需要高可靠性及高效能的应用场景。该型号广泛应用于开关电源、马达驱动、照明系统及各种电力转换装置中。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 30V
    - 阈值电压 \( V{GS(th)} \): 1.0~2.5V
    - 零门极电压漏极电流 \( I{DSS} \): ≤ 1 μA (在 VDS=30V 下)
    - 通态漏源电阻 \( R{DS(on)} \):
    - 在 \( V{GS}=10V \) 下,\( R{DS(on)} \) ≤ 0.007 Ω (在 \( ID=20A \) 下)
    - 在 \( V{GS}=4.5V \) 下,\( R{DS(on)} \) ≤ 0.010 Ω (在 \( ID=15A \) 下)
    - 极限参数:
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 30V
    - 门极源极电压 \( V{GS} \): ±20V
    - 连续漏极电流 \( ID \): 70A (TC=125°C)
    - 单脉冲雪崩电流 \( IA \): 33A (在 \( L=0.1mH \) 下)
    - 单脉冲雪崩能量 \( EA \): 54mJ
    - 最大功率耗散 \( PD \): 71W (TC=25°C), 23W (TC=125°C)
    - 工作结温和存储温度范围 \( T{J, T{stg}} \): -55°C ~ +175°C
    - 热阻抗参数:
    - 结到环境的热阻抗 \( R{thJA} \): 50°C/W (PCB安装下)
    - 结到外壳(漏极)的热阻抗 \( R{thJC} \): 1.6°C/W

    产品特点和优势


    - 低热阻: 有助于提高散热效率,延长器件寿命。
    - 高可靠性: 100% Rg和UIS测试通过,确保了出色的耐用性和稳定性。
    - 高效能: 低通态电阻使得在高电流下仍有优异的表现。
    - 适用范围广: 能适应各种严苛的工作环境,适用于多种应用场景。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源:
    - 在此应用中,60L02GP-VB能够提供高效、可靠的电力转换。
    - 建议使用适当的散热设计,如加装散热片或散热器,以充分利用其低热阻特性。

    - 马达驱动:
    - 用于控制电机的电源转换和保护。
    - 使用时应注意选择合适的驱动电路,以避免过载情况下的损坏。

    - 照明系统:
    - 适用于LED驱动器等应用。
    - 推荐在系统设计中考虑良好的散热措施,以确保长期稳定运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 与标准的TO-220封装兼容,可方便替换其他同类产品。
    - 技术支持: 制造商提供了详尽的技术文档和支持,帮助用户正确安装和使用产品。遇到问题时,可以联系其客户服务热线:400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 温度过高导致器件损坏
    - 解决方案: 确保良好的散热设计,如添加散热片或使用更大散热面积的电路板。

    - 问题: 漏电现象严重
    - 解决方案: 检查门极和源极之间的接线,确认没有短路现象。同时,注意检查是否符合规定的最大工作电压和电流。

    总结和推荐


    60L02GP-VB凭借其高可靠性、高效的功率转换能力以及广泛的适用范围,在众多应用场景中表现出色。特别是在对温度敏感的应用中,它能够提供出色的性能表现。尽管该产品具有诸多优点,但在具体使用过程中仍需注意散热和电气连接,以充分发挥其潜力。综上所述,强烈推荐该产品用于各类电力电子应用场合。

60L02GP-VB参数

参数
通道数量 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,10mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Id-连续漏极电流 70A
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

60L02GP-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

60L02GP-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 60L02GP-VB 60L02GP-VB数据手册

60L02GP-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
1000+ ¥ 1.4911
库存: 400000
起订量: 20 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:20
合计: ¥ 35
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504