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K3351-TL-E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
供应商型号: K3351-TL-E-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3351-TL-E-VB

K3351-TL-E-VB概述


    产品简介


    本产品为一款N沟道30V(D-S)MOSFET晶体管,采用TrenchFET® Power MOSFET技术制造。它具有出色的性能和可靠性,广泛应用于服务器、OR-ing以及其他直流到直流转换的应用场景中。

    技术参数


    | 参数 | 描述 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |

    | 漏源电压(VDS) | 在栅极电压(VGS)= 0V时的最大电压 | 30 | - | - |
    | 漏源击穿电压(VDS) | 测量条件:VGS = 0V, ID = 250 µA | - | 30 | - |
    | 栅源阈值电压(VGS(th))| 测量条件:VDS = VGS, ID = 250 µA | 1.5 | 2.0 | - |
    | 漏源导通电阻(RDS(on))| 测量条件:VGS = 10V, ID = 21.8A | - | 0.007 | - |
    | 零栅极电压漏电流(IDSS)| 测量条件:VDS = 30V, VGS = 0V | 1 µA | - | - |
    | 漏极连续电流(ID) | 在稳态条件下最大值 | - | 90 | - |
    | 最大功率耗散(PD) | 在稳态条件下最大值 | - | 100 | - |
    | 最高工作温度(TJ, Tstg) -55°C | - | 175°C |

    产品特点和优势


    1. 高效能:使用TrenchFET® Power MOSFET技术,使得产品具有较低的导通电阻和较高的功率效率。
    2. 高可靠性:100% Rg和UIS测试保证产品的可靠性和稳定性。
    3. 环保认证:符合RoHS指令2011/65/EU,适用于对环境保护要求高的应用领域。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    这款MOSFET非常适合用于服务器电源管理、直流到直流转换器以及OR-ing电路中。例如,在服务器中,它可以通过快速切换来降低能耗和提高效率。
    使用建议
    为了确保最佳性能和稳定性,建议在设计电路时使用适当的散热措施,并遵循制造商推荐的焊接和组装标准。特别是在高温环境下运行时,应监测和控制电路的温度,以避免过热导致的损坏。

    兼容性和支持


    该产品可以与其他常见的电子元件和系统无缝集成,提供全面的技术支持和服务。制造商提供了详尽的文档和技术支持,帮助用户进行设计和故障排除。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:启动延迟时间(td(on))较长。
    解决方案:检查外部电阻(Rg)设置是否正确,必要时调整至制造商推荐范围。
    2. 问题:功率耗散过大。
    解决方案:增加散热片或改进散热设计,以确保器件在安全的工作范围内运行。

    总结和推荐


    综上所述,这款N沟道30V MOSFET具有优秀的性能和高可靠性,适用于多种电力管理和转换应用。它具备低导通电阻、高效率以及良好的温度特性,是一款值得推荐的产品。用户可以根据具体的应用需求选择合适的型号和配置。

K3351-TL-E-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
配置 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
Id-连续漏极电流 70A
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K3351-TL-E-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3351-TL-E-VB数据手册

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K3351-TL-E-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
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