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K3A65D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V)\n一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: K3A65D-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3A65D-VB

K3A65D-VB概述

    K3A65D-VB 电子元器件技术手册解析

    产品简介


    K3A65D-VB 是一款 N-Channel 650V 功率 MOSFET,适用于各种电力电子应用。它以其低栅极电荷(Qg)和改进的坚固性而著称,使其在驱动要求简单的同时具备高可靠性。

    技术参数


    K3A65D-VB 的技术参数如下:
    - 漏源电压 (VDS): 650V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 2.0 - 4.0V
    - 栅源漏电电流 (IGSS): VGS = ± 30V 时,电流为 ± 100nA
    - 零栅电压漏电流 (IDSS): VDS = 650V 时,IDSS = 0V,电流为 25μA
    - 导通电阻 (RDS(on)): VGS = 10V 时,为 2.5Ω
    - 总栅极电荷 (Qg): 最大值为 48nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 12nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 19nC
    - 输出电容 (Coss): 1912pF
    - 反向传输电容 (Crss): 7.0pF
    - 最大脉冲漏电流 (ISM): 21A
    - 体二极管恢复时间 (trr): 493 - 739ns
    - 体二极管恢复电荷 (Qrr): 2.1 - 3.2μC
    - 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
    - 最大结温 (TJ): 150°C
    - 最大结壳热阻 (RthJC): 2.1°C/W

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷: 降低驱动需求,简化电路设计。
    2. 高抗浪涌能力: 包括栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐受性,确保长期稳定运行。
    3. 完全表征的电容和雪崩特性: 确保在不同工作条件下的可靠表现。
    4. RoHS 合规: 符合环保标准,适用于广泛的应用领域。

    应用案例和使用建议


    K3A65D-VB 广泛应用于逆变器、开关电源、电机驱动和其他需要高电压和高电流控制的应用场合。例如,在逆变器应用中,K3A65D-VB 可以用于驱动功率转换电路,实现高效的电力传输。
    使用建议:
    - 在设计时考虑其开关时间和栅极电荷特性,以优化整体电路性能。
    - 确保散热系统良好,避免过热,特别是工作在高电流和高电压条件下的时候。
    - 使用适当的驱动电路,确保门极驱动信号能够快速且准确地控制 MOSFET 的开通和关断。

    兼容性和支持


    K3A65D-VB 与大多数标准的 PCB 设计兼容,支持 TO-220 全包封装。VBsemi 提供详尽的技术支持,包括安装指南、测试电路和常见问题解答。

    常见问题与解决方案


    1. 过热问题
    - 解决方法:增加散热片或风扇,确保良好的空气流通。

    2. 驱动信号不稳定
    - 解决方法:检查驱动电路,确保门极电阻值适当,避免过高或过低。
    3. 输出电容不稳定
    - 解决方法:选择合适的外部电容,并确保电容值与电路匹配。

    总结和推荐


    K3A65D-VB 是一款高性能、高可靠性的 N-Channel MOSFET,特别适合需要高电压和高电流控制的应用场合。其低栅极电荷和高抗浪涌能力使其在市场上具有显著的优势。总的来说,推荐给需要高效电力转换和可靠驱动控制的设计者使用。
    如需了解更多详细信息,请访问 [VBsemi 官网](http://www.VBsemi.com) 或联系客服热线:400-655-8788。

K3A65D-VB参数

参数
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 4A
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3A65D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3A65D-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3A65D-VB K3A65D-VB数据手册

K3A65D-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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