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K3385-Z-E2-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252\n是一款性能优越的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用,具有高效、稳定和可靠的特性,可满足电源供应模块、电动工具、电动车控制器、工业自动化、LED照明不同应用的需求。
供应商型号: K3385-Z-E2-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3385-Z-E2-VB

K3385-Z-E2-VB概述

    # VBsemi K3385-Z-E2 N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    基本介绍
    VBsemi K3385-Z-E2 是一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET(TrenchFET® 技术),具有极低的导通电阻和高耐温性能。这款器件广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器和照明系统等领域,以其卓越的电气特性和稳定性深受客户青睐。
    主要功能
    - 低导通电阻(rDS(on)):在 VGS=10V 下,rDS(on) 最小可达 0.025Ω,适合高频高效转换应用。
    - 高耐温性能:工作结温范围高达 175°C,确保在恶劣环境下的可靠运行。
    - 紧凑封装:采用 TO-252 封装,易于焊接和散热。
    应用领域
    - 开关电源
    - 逆变器设计
    - 高频电机控制
    - LED 照明驱动

    2. 技术参数


    以下是该器件的关键技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | — | 60 | — | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 1.0 | 2.0 | 3.0 | V |
    | 导通状态漏源电阻 | rDS(on) | 0.025 | — | 0.069 | Ω |
    | 最大连续漏电流 | ID | — | 50 | — | A |
    | 栅漏电荷 | Qg | 11 | — | 17 | nC |
    | 门限开启时间 | td(on) | 8 | — | 15 | ns |
    | 漏源寄生二极管正向压降 | VSD | 1.0 | — | 1.5 | V |
    其他关键指标还包括:
    - 工作温度范围:-55°C 至 +175°C
    - 最大耗散功率:100 W(TA=25°C)
    - 热阻抗:RthJA=18°C/W(典型值)

    3. 产品特点和优势


    独特功能
    1. 低导通电阻:K3385-Z-E2 的 rDS(on) 在多种电压条件下表现出色,能有效降低功耗并提升效率。
    2. 高可靠性:能够在极端温度条件下工作,适合工业和汽车级应用。
    3. 快速开关性能:短的开关时间和较低的门限开启时间显著提高了转换效率。
    市场竞争力
    - 与传统 MOSFET 相比,具有更低的导通损耗和更高的工作效率。
    - 广泛的兼容性和灵活性使其适用于多种复杂应用场景。
    - RoHS 和无卤素标准确保绿色环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    典型应用案例
    1. LED 照明驱动电路:利用其高效的开关性能和低导通电阻,可以提高系统的能源利用率。
    2. 电机驱动系统:由于其高耐温性和可靠的开关特性,在高温环境中仍能稳定运行。
    3. 开关电源设计:结合其高能效和低损耗的特点,可实现更高的功率密度。
    使用建议
    - 优化电路设计:为了充分利用器件的低导通电阻特性,应选择合适的栅极驱动电阻以减少门极充电时间。
    - 散热管理:尽管器件具备良好的热性能,但在高负载情况下需注意外部散热措施,例如加装散热片或优化 PCB 布局。
    - 选择合适的工作条件:根据应用场景合理调节 VGS 和 ID 值,避免超出绝对最大额定值限制。

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    K3385-Z-E2 与多种主流平台兼容,如 TI 和 STMicroelectronics 的同类产品,方便替换现有设计方案。
    支持和服务
    - 官方技术支持:VBsemi 提供详尽的技术文档和专家支持,帮助用户解决开发过程中遇到的问题。
    - 样品申请:提供免费样品申请服务,加快产品研发周期。
    - 长期供货承诺:确保产品长期供应,满足客户批量生产需求。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 减少栅极电阻值以加速门极充电过程。 |
    | 过热导致保护触发 | 增加散热措施,如加装散热器或优化 PCB 布局。 |
    | 漏电流偏大 | 检查工作温度是否超出规定范围,调整电路参数。 |

    7. 总结和推荐


    综合评估
    VBsemi K3385-Z-E2 是一款面向高性能应用的 N 沟道功率 MOSFET,其低导通电阻、高耐温能力和良好的兼容性使其成为众多领域的理想选择。无论是在效率提升还是可靠性保障方面,该器件均表现出色。
    推荐意见
    强烈推荐在需要高效能和可靠性的应用场景中使用此器件。它不仅能够满足当前的设计需求,还为未来升级提供了足够的扩展空间。对于追求最佳性价比的工程师来说,这款 MOSFET 是一个值得信赖的选择。
    如有任何疑问,请联系我们的服务热线:400-655-8788 或访问官网 www.VBsemi.com 获取更多支持。

    版权所有 © 2023 VBsemi Electronics Co., Ltd.

K3385-Z-E2-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
配置 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 45A
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K3385-Z-E2-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3385-Z-E2-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3385-Z-E2-VB K3385-Z-E2-VB数据手册

K3385-Z-E2-VB封装设计

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20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
2500+ ¥ 1.4911
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