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WTV3585-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN+P沟道,±20V,7 /-4.5A,RDS(ON),20 / 70mΩ@4.5V,29 / 106mΩ@2.5V,20Vgs(±V);0.71 / -0.81Vth(V) 封装:SOT23-6可用于电源管理系统中的电流调节和电路保护模块,提供高效的功率控制和稳定的电流输出。
供应商型号: WTV3585-VB SOT23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WTV3585-VB

WTV3585-VB概述

    WTV3585 N-Channel/P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    WTV3585 是一款由 VBsemi 设计的高可靠性的 N-Channel 和 P-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它符合环保标准(无卤素材料),适用于广泛的电子设备。这些 MOSFET 主要应用于电源管理、电机驱动、直流-直流转换器等领域。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 20 20 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 ±20 | V |
    | 连续漏极电流(TJ = 150°C) | ID | 5 -3.4 | A |
    | 最大功率耗散 | PD | 1.15 0.73 | W |
    | 结温及存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 150 | °C |
    注释:
    - 脉冲测试;脉宽 ≤ 300 μs,占空比 ≤ 2%。
    - 设计保证,非生产测试项。

    产品特点和优势


    1. 环保材料:采用无卤素材料,符合 IEC 61249-2-21 标准。
    2. 低导通电阻:RDS(on) 在不同条件下表现出色,N-Channel 为 0.022 Ω(VGS = 10 V),P-Channel 为 0.030 Ω(VGS = -10 V)。
    3. 100% 测试:所有产品都经过栅极电阻 Rg 的测试,确保产品质量。
    4. 合规性:符合 RoHS 指令 2002/95/EC 和 JEDEC JS709A 标准,适用于现代电子设备。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. 电源管理:用于提高电源转换效率。
    2. 电机驱动:适合用于工业自动化中的电机控制。
    3. 直流-直流转换器:适用于各类电源模块。
    使用建议:
    - 确保电路设计合理,特别是在高温环境下使用时要注意散热。
    - 注意避免超出绝对最大额定值的工作条件,以防止损坏。

    兼容性和支持


    - 该 MOSFET 采用 TSOP-6 封装,适用于表面贴装工艺。
    - 支持与多种电源管理芯片配合使用,提高系统灵活性。
    - VBsemi 提供技术支持和维护,确保客户在使用过程中能够获得必要的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何确定最佳工作条件?
    - 解:参考手册中的静态和动态特性参数表,根据实际应用需求选择合适的工作电压和电流。
    2. 问:过热如何处理?
    - 解:确保良好的散热措施,如使用散热片或增加空气流通。
    3. 问:是否可以长时间运行于极限温度范围内?
    - 解:尽量避免长时间在极端温度下运行,以保证器件的长期可靠性。

    总结和推荐


    WTV3585 N-Channel/P-Channel MOSFET 以其优异的性能和可靠性,在各种应用场景中表现出色。特别适合于需要高效能和环保材料的应用场合。鉴于其出色的性价比和技术支持,强烈推荐给需要高性能 MOSFET 的电子设备制造商。

WTV3585-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 20/70mΩ@4.5V,29/106mΩ@2.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 7A,4.5A
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
最大功率耗散 -
FET类型 N+P沟道
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 0.71/-0.81V
Vds-漏源极击穿电压 ±20V
通用封装 SOT-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

WTV3585-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WTV3585-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 WTV3585-VB WTV3585-VB数据手册

WTV3585-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
35+ ¥ 0.7779
100+ ¥ 0.7203
500+ ¥ 0.6915
3000+ ¥ 0.6627
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