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K1420-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,45A,RDS(ON),27mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO220F用于快速充电器中的功率开关元件,实现对电池的快速充电,适用于手机快充充电器、电动车快充充电器等设备。
供应商型号: K1420-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1420-VB

K1420-VB概述

    K1420-VB N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    K1420-VB 是一款N沟道60伏(漏极-源极)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这种MOSFET专为高压应用设计,具有隔离封装、高电压隔离、低热阻等特点。适用于各种电源转换、电机控制和工业自动化等领域。

    技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压 \(V{DS}\): 60 V
    - 栅源电压 \(V{GS}\): ±20 V
    - 漏极连续电流 \(ID\): 45 A @ \(TC\) = 25°C
    - 脉冲漏极电流 \(I{DM}\): 220 A
    - 最大功率耗散 \(PD\): 52 W @ \(TC\) = 25°C
    - 结点温度范围 \(TJ\), \(T{STG}\): -55°C 至 +175°C
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压 \(V{DS}\): 60 V @ \(ID\) = 250 μA
    - 栅源阈值电压 \(V{GS(th)}\): 1.0 - 3.0 V
    - 零栅电压漏极电流 \(I{DSS}\): 25 μA @ \(V{DS}\) = 60 V, \(V{GS}\) = 0 V
    - 导通电阻 \(R{DS(on)}\): 0.027 Ω @ \(V{GS}\) = 10 V, \(ID\) = 18 A
    - 输入电容 \(C{iss}\): 1500 pF
    - 输出电容 \(C{oss}\): 100 pF
    - 反向转移电容 \(C{rss}\): 720 pF
    - 总栅极电荷 \(Qg\): 9 nC
    - 栅源电荷 \(Q{gs}\): 27 nC
    - 栅漏电荷 \(Q{gd}\): 46 nC
    - 开启延迟时间 \(t{d(on)}\): 19 ns
    - 上升时间 \(tr\): 120 ns
    - 关闭延迟时间 \(t{d(off)}\): -55 ns
    - 下降时间 \(tf\): 86 ns
    - 内部漏极电感 \(LD\): 4.5 nH
    - 内部源极电感 \(LS\): 7.5 nH
    - 导通电阻的温度系数 \(\Delta V{DS}/TJ\): -0.060 V/°C
    - 动态特性
    - 动态 \(dV/dt\) 速率
    - 单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\): 100 mJ
    - 峰值二极管恢复 \(dV/dt\): 4.5 V/ns

    产品特点和优势


    1. 隔离封装: K1420-VB 采用隔离封装,确保在高压环境下安全可靠。
    2. 高电压隔离: 该器件支持高达 2.5 kVRMS 的电压隔离,非常适合需要高电压隔离的应用。
    3. 低热阻: 低热阻的设计有助于提高散热效率,从而延长使用寿命。
    4. 动态 \(dV/dt\) 评级: 具有良好的动态 \(dV/dt\) 评级,能够处理瞬态电压的变化。
    5. 175°C 工作温度: 支持宽温度范围工作,适合高温环境。
    6. 无铅: 符合 RoHS 标准,环保无铅。

    应用案例和使用建议


    K1420-VB 主要应用于电源转换器、电机驱动器和工业自动化系统。例如,在电源转换器中,它可以作为开关元件,实现高效的电压转换。在电机驱动器中,它用于精确控制电机的启动和停止。
    使用建议:
    - 在高电压应用中,确保电路设计合理,以避免过压情况。
    - 适当选择散热器,以增强散热效果。
    - 注意环境温度,避免长时间处于高温环境中。

    兼容性和支持


    K1420-VB 与市面上主流的 PCB 设计工具兼容,适用于广泛的电子设备。制造商提供详尽的技术支持和售后服务,包括在线文档和客户支持。

    常见问题与解决方案


    - Q: 漏极连续电流是否会超过 45 A?
    - A: 不会,该值为额定值。若需更高电流,可考虑并联多个 MOSFET。
    - Q: 如何测量总栅极电荷?
    - A: 使用专用测试电路,如图 13b 所示进行测量。
    - Q: 是否存在散热问题?
    - A: 若未正确安装散热片,可能产生过热问题。建议选用合适的散热片并确保良好的热传导路径。

    总结和推荐


    K1420-VB N-Channel 60 V MOSFET 以其高电压隔离、低热阻和动态 \(dV/dt\) 评级在高压应用中表现出色。其广泛的工作温度范围和优异的热管理能力使其成为各种工业和消费电子产品的理想选择。我们强烈推荐在高压应用中使用 K1420-VB,以获得最佳性能和可靠性。

K1420-VB参数

参数
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@10V,31mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 45A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1420-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1420-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K1420-VB K1420-VB数据手册

K1420-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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