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K3914-01-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,600V,8A,RDS(ON),780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220\n适用于电源管理模块,如开关电源、电池充放电管理系统等,提供稳定、高效的电力控制和保护
供应商型号: K3914-01-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3914-01-VB

K3914-01-VB概述

    K3914-01-VB 电子元器件技术手册



    1. 产品简介



    K3914-01-VB 是一款高性能的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和其他高速电力转换应用设计。此款MOSFET具备低栅极电荷(Qg),这意味着驱动要求简单;并具有改善的门极、雪崩和动态dV/dt耐用性,确保了在高电流和高电压条件下的稳定性能。


    2. 技术参数



    | 参数 | 值 | 单位 |
    |-------------------|-------------------|-------|
    | 漏源击穿电压 | 600 | V |
    | 门源阈值电压 | 2.0-4.0 | V |
    | 栅极泄漏电流 | ± 100 | nA |
    | 导通电阻 | 0.780 | Ω |
    | 最大连续漏极电流 | 8.0 | A |
    | 最大脉冲漏极电流 | 37 | A |
    | 门源电荷(Qgs) | 13 | nC |
    | 门漏电荷(Qgd) | 20 | nC |
    | 最大单脉冲雪崩能量 | 290 | mJ |
    | 重复雪崩电流 | 8.0 | A |
    | 重复雪崩能量 | 17 | mJ |
    | 门输入电阻 | 0.5-3.2 | Ω |
    | 雪崩电压 | 见图11


    3. 产品特点和优势



    - 低栅极电荷:使得驱动要求简单。
    - 增强的耐用性:门极、雪崩和动态dV/dt的增强性能,确保在极端条件下的可靠运行。
    - 全面的参数表征:包括容抗和雪崩电压、电流的全面表征,提供详尽的技术规格。


    4. 应用案例和使用建议



    - 开关电源:在开关模式电源(SMPS)中,该MOSFET可以实现高效的电源转换,特别是适用于主动钳位前馈拓扑结构。
    - 不间断电源:利用其快速开关特性,在UPS中提供稳定的电力供应。
    - 建议使用场景:当需要在高频条件下进行快速开关时,该MOSFET是一个理想的选择。考虑到其较低的导通电阻,特别适合在低电压下提供较高的电流输出。此外,建议根据具体应用场景调整电路布局以优化性能。


    5. 兼容性和支持



    - 兼容性:K3914-01-VB 与其他标准TO-220封装的电子元器件兼容,可广泛应用于各类电子设备中。
    - 技术支持:制造商提供了详细的安装和使用指南,还设有服务热线(400-655-8788),客户可以通过电话获得技术咨询和支持。


    6. 常见问题与解决方案



    | 问题 | 解决方案 |
    |---------------------------|------------------------------------|
    | 温度过高导致故障 | 检查散热系统是否有效,适当增加散热措施 |
    | 漏电流异常 | 确认门极驱动电压是否符合规定,检查门极驱动电路 |
    | 开关损耗高 | 优化电路设计,减少开关频率 |


    7. 总结和推荐



    总体而言,K3914-01-VB 功率MOSFET 在性能和耐用性方面表现出色,非常适合于各种高可靠性应用场合。它提供了出色的电气特性和广泛的适用范围,特别是在高频率和大功率应用中表现卓越。因此,我们强烈推荐此产品给需要高性能MOSFET的工程师和采购人员。

    ---

    通过以上综述,我们可以看出K3914-01-VB在技术参数、应用场景及售后服务方面均有明显的优势。希望上述内容能帮助您更好地了解该产品,并在未来的项目中发挥重要作用。

K3914-01-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 600V
配置 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 8A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3914-01-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3914-01-VB数据手册

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K3914-01-VB封装设计

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