处理中...

首页  >  产品百科  >  K2231Q-VB

K2231Q-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252\n用于设计LED照明驱动器模块,用于室内和室外照明系统,提供稳定的电流输出和高效的能量转换,满足建筑照明、道路照明和景观照明等领域的需求。
供应商型号: K2231Q-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2231Q-VB

K2231Q-VB概述

    N-Channel 60V MOSFET 技术手册

    产品简介


    本技术手册介绍了VBsemi公司生产的N-Channel 60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),型号为2SK2231(TE16R)-NL。该器件采用TrenchFET® Power MOSFET工艺制造,适用于多种直流及交流转换器、逆变器及电机驱动等应用场合。

    技术参数


    以下是该N-Channel MOSFET的主要技术参数:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 栅极-源极电压 | ±20 V |
    | 漏极-源极电压 60 | V |
    | 漏极连续电流 18 A |
    | 瞬态漏极电流 25 | A |
    | 漏源导通电阻 0.073 Ω |
    | 总栅极电荷 19.8 | 30 | nC |
    | 输入电容 660 pF |
    | 输出电容 85 pF |
    | 反向传输电容 40 pF |
    | 转换电导率 25 S |
    | 阈值电压 | 1.0 | 3.0 V |
    | 击穿电压 60 V |

    产品特点和优势


    1. 高效率:该MOSFET具有较低的导通电阻,可在多种应用场景下提供更高的工作效率。
    2. 可靠性:通过TrenchFET®技术,确保器件在高温和高压环境下的长期稳定运行。
    3. 高集成度:适合紧凑设计,广泛应用于直流/直流转换器、直流/交流逆变器及电机驱动等领域。
    4. 全面测试:经过100% Rg和UIS测试,确保在各种工作条件下的可靠性和稳定性。

    应用案例和使用建议


    该MOSFET广泛应用于DC/DC转换器、DC/AC逆变器及电机驱动系统中。例如,在电池管理系统中作为开关器件,可以实现高效的能量转换和管理。此外,在工业控制中,可作为电机驱动的高效开关元件。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热设计,以确保器件的可靠性和寿命。
    - 在选择外部电路元件时,应注意器件的最大电流和电压额定值,避免过载损坏。

    兼容性和支持


    该器件的封装为TO-252,具有良好的机械兼容性和电气兼容性,可方便地与标准插座连接。制造商提供了详细的技术文档和支持服务,帮助客户在设计和应用中获得最佳体验。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:使用过程中发现器件温度过高。
    解决方案:检查散热设计是否合理,增加散热片或改善气流设计。
    2. 问题:在高温环境下工作时发现性能下降。
    解决方案:选择合适的散热材料和方法,以提高散热效果。
    3. 问题:器件在瞬间高电流条件下工作时出现故障。
    解决方案:确保外部电路能够承受瞬间高电流,并进行适当的设计和保护。

    总结和推荐


    总体来看,这款N-Channel 60V MOSFET凭借其优异的性能和广泛的适用范围,是理想的选择。它具备高效率、高可靠性等特点,适合用于多种电子系统的设计中。我们强烈推荐客户在相应的应用中使用该产品。为了确保最佳效果,请务必遵循相关的使用建议并进行充分的测试。

K2231Q-VB参数

参数
通道数量 -
Id-连续漏极电流 18A
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Rds(On)-漏源导通电阻 73mΩ@10V,85mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K2231Q-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2231Q-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2231Q-VB K2231Q-VB数据手册

K2231Q-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.36
100+ ¥ 1.2593
500+ ¥ 1.2089
2500+ ¥ 1.1586
库存: 400000
起订量: 20 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:20
合计: ¥ 27.2
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504