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K3434-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n60V,60A,RDS(ON),11mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO220\n一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
供应商型号: K3434-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3434-VB

K3434-VB概述

    # K3434-VB N-Channel 60-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    K3434-VB 是一款由 VBsemi 生产的 N-通道 60V(D-S)功率 MOSFET,适用于多种电子应用。该器件采用先进的 TrenchFET® 工艺技术制造,具有高可靠性、低导通电阻和宽泛的工作温度范围。该产品广泛应用于开关电源、电机驱动、照明控制等领域。

    技术参数


    K3434-VB 的关键技术参数如下:
    - 绝对最大额定值:
    - 门源电压 (VGS): ±20 V
    - 漏极连续电流 (TJ = 175 °C): 60 A (TC = 25 °C),50 A (TC = 100 °C)
    - 漏极脉冲电流 (IDM): 200 A
    - 最大功耗 (PD): 136 W (TA = 25 °C)
    - 热阻率:
    - 最大结到环境热阻 (RthJA): 15°C/W (≤10 秒),40°C/W (稳态)
    - 最大结到外壳热阻 (RthJC): 0.85°C/W
    - 其他特性:
    - 额定工作温度范围 (TJ): -55 °C 到 175 °C
    - 开关损耗相关参数:输入电容 (Ciss) 420 pF,输出电容 (Coss) 570 pF,反向传输电容 (Crss) 325 pF
    - 总门电荷 (Qg): 4 nC (VDS = 30 V, VGS = 10 V, ID = 50 A)

    产品特点和优势


    K3434-VB 具备以下显著特点和优势:
    - 高可靠性:工作温度范围为 -55 °C 至 175 °C,确保在极端环境下的稳定运行。
    - 高性能:导通电阻 (RDS(on)) 在 VGS = 10 V 和 TJ = 25 °C 下仅为 0.011 Ω,在 VGS = 4.5 V 和 TJ = 25 °C 下为 0.013 Ω。
    - 先进的工艺技术:采用 TrenchFET® 工艺,降低导通电阻并提高效率。
    - 快速开关特性:优秀的动态特性使得该 MOSFET 适合高频应用。

    应用案例和使用建议


    K3434-VB 在多种应用中表现出色,例如:
    - 开关电源:在高频率应用中表现优异,有助于提高电源转换效率。
    - 电机驱动:由于其低导通电阻和快速开关特性,适用于高效驱动电机。
    - 照明控制:可用于 LED 照明系统,以提高能效和寿命。
    使用建议:
    - 在选择散热器时,建议根据热阻率 (RthJA) 计算合适的散热面积。
    - 设计电路时需注意门极驱动设计,以减少开关损耗。

    兼容性和支持


    K3434-VB 采用 TO-220AB 封装,易于安装和使用。制造商提供详细的技术支持,可通过服务热线 400-655-8788 获取进一步帮助。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 开关过程中出现过高的温升怎么办?
    - A: 请确保合理的散热设计,增加散热片或者使用更大面积的散热器来降低温升。
    2. Q: MOSFET 不能正常关断怎么办?
    - A: 检查门极驱动电压是否足够高,或者是否存在外部干扰。可以适当增加门极电阻 (Rg) 来改善开关特性。
    3. Q: 长期使用后性能下降怎么办?
    - A: 确保工作环境在额定范围内,避免长时间处于高温环境中。定期检查散热设计,确保散热效果良好。

    总结和推荐


    K3434-VB N-通道 60-V MOSFET 在多个方面表现出卓越的性能,适用于多种高压和高频应用。其出色的热管理能力和高可靠性使其成为市场上非常有竞争力的产品。强烈推荐用于需要高效率和高可靠性的电路设计中。

K3434-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@10V,13mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 60A
通道数量 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3434-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3434-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3434-VB K3434-VB数据手册

K3434-VB封装设计

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