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RF1S42N03LSM-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),12mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.2Vth(V) 封装:TO263\n适用于需要较高功率和电流的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
供应商型号: RF1S42N03LSM-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) RF1S42N03LSM-VB

RF1S42N03LSM-VB概述

    # N-Channel 30-V MOSFET RF1S42N03LSM 技术手册

    产品简介


    RF1S42N03LSM 是一款高性能的 N 沟道 30-V(D-S)功率 MOSFET,采用 TrenchFET® 技术设计,具有低导通电阻和高电流承载能力。这种 MOSFET 主要应用于服务器电源、OR-ing 等领域。其优异的电气特性和稳定的工作性能使其成为现代电子系统中不可或缺的关键组件。

    技术参数


    以下为 RF1S42N03LSM 的关键技术参数:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 (VDS) | 30 | V |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 0.012 (VGS=10V) | Ω |
    | 持续漏极电流 (ID) | 46 | A |
    | 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 210 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 (EAS) | 94.8 | mJ |
    | 工作结温和存储温度范围 | -55 至 175 | °C |
    | 热阻抗(结到壳,稳态) | 0.5 | °C/W |
    此外,该器件完全符合 RoHS 指令 2011/65/EU,并经过 100% 阻抗测试和雪崩测试。

    产品特点和优势


    1. 高效能 TrenchFET 技术:提供卓越的开关性能和低导通电阻。
    2. 高可靠性:所有样品均经过严格的 UIS 和阻抗测试。
    3. 宽广的应用领域:适用于多种高性能电路,尤其是服务器和 OR-ing 应用。
    4. 环保设计:符合 RoHS 标准,绿色无铅工艺。

    应用案例和使用建议


    RF1S42N03LSM 广泛应用于服务器电源和 OR-ing 电路中,其中常见的应用场景包括高频开关电源和功率调节模块。对于用户来说,建议在设计中考虑散热管理以优化器件性能并延长使用寿命。此外,在高频率应用中应注意总门电荷 (Qg) 的控制以减少功耗。

    兼容性和支持


    RF1S42N03LSM 使用标准 D2PAK 封装,易于与其他主流电子元器件集成。厂商提供了详尽的技术文档和支持服务,确保客户在产品使用过程中获得最佳体验。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高温环境下器件性能下降。
    - 解决方案:建议增加散热片或采用更高效的散热方式。

    2. 问题:启动时出现异常噪声。
    - 解决方案:检查电路接线是否正确,确保电源电压稳定。

    总结和推荐


    总体而言,RF1S42N03LSM 是一款性能卓越的 N 沟道功率 MOSFET,特别适合需要高效率和高可靠性的应用场合。其低导通电阻和良好的热管理能力使其在市场上具有较强的竞争力。如果您正在寻找高性能的电子元器件,强烈推荐选用此款产品。
    联系信息:
    服务热线:400-655-8788
    官网:www.VBsemi.com

RF1S42N03LSM-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 70A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@10V,19mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

RF1S42N03LSM-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

RF1S42N03LSM-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 RF1S42N03LSM-VB RF1S42N03LSM-VB数据手册

RF1S42N03LSM-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.5269
100+ ¥ 2.3398
500+ ¥ 2.2462
800+ ¥ 2.1526
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