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K3794-E1-AZ-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252\n是一款性能优越的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用,具有高效、稳定和可靠的特性,可满足电源供应模块、电动工具、电动车控制器、工业自动化、LED照明不同应用的需求。
供应商型号: K3794-E1-AZ-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3794-E1-AZ-VB

K3794-E1-AZ-VB概述


    产品简介


    这款电子元器件是一款高性能的N沟道TrenchFET®功率MOSFET,适用于广泛的电力转换和控制应用。其主要特点包括高耐温能力(最高可达到175°C),低导通电阻(rDS(on))和良好的热稳定性。这些特性使其非常适合用于高功率密度的应用,如电机驱动、电源转换和电池管理系统等领域。

    技术参数


    - 额定电压(VDS):60V
    - 导通电阻(rDS(on)):
    - 在VGS = 10V时,rDS(on)为0.025Ω
    - 在VGS = 4.5V时,rDS(on)为0.030Ω
    - 连续漏极电流(ID):
    - TC = 25°C时,ID为45A
    - TC = 100°C时,ID为40A
    - 脉冲漏极电流(IDM):100A
    - 存储温度范围(TJ, Tstg):-55°C 至 175°C
    - 最大功率耗散(PD):TC = 25°C时为100W
    - 引脚配置:G(栅极)、D(漏极)、S(源极)
    - 封装类型:TO-252
    - 工作环境:可在-55°C至175°C的环境下稳定工作

    产品特点和优势


    这款N沟道TrenchFET®功率MOSFET具有以下独特功能和优势:
    - 高耐温能力:最高可达175°C,使其适用于高温环境。
    - 低导通电阻:rDS(on)仅为0.025Ω,确保高效能量传输。
    - 优异的热稳定性:能够在宽广的温度范围内保持稳定的性能。
    - 快速开关性能:具备良好的动态特性,适用于高频开关电路。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 电机驱动:适用于工业自动化系统中的电机驱动控制,确保高效能的电机控制。
    2. 电源转换:适合应用于各种直流-直流变换器和逆变器中,提供高效能的能量转换。
    3. 电池管理系统:可用于电动汽车或储能系统的电池管理,确保安全和高效的电池充电与放电控制。
    使用建议
    1. 散热设计:为了确保最佳性能和可靠性,在高负载条件下使用时,应考虑良好的散热设计。
    2. 保护电路:在关键应用中,建议添加过流保护和过热保护电路,以防止器件损坏。
    3. 适当选择VGS:根据具体应用场景,合理选择VGS值,以达到最佳的rDS(on)性能。

    兼容性和支持


    该MOSFET与其他电子元器件和设备具有良好的兼容性。制造商提供详细的文档和技术支持,包括在线资源、用户手册和客户服务热线(400-655-8788),以便用户获取进一步的帮助和支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开机瞬间电流过大导致烧毁 | 确保电路中有适当的保护措施,如保险丝或断路器。 |
    | 寿命较短 | 检查是否有过热现象,检查散热设计是否合理。 |
    | 转换效率低下 | 检查电路连接是否正确,确认VGS值是否合适。 |

    总结和推荐


    综上所述,这款N沟道TrenchFET®功率MOSFET以其高性能、高可靠性和广泛的应用场景而脱颖而出。它不仅适用于工业自动化系统中的电机驱动和电源转换,还特别适合电动汽车的电池管理系统。推荐在高功率密度应用中使用此产品,尤其是需要在高温环境下工作的场合。

K3794-E1-AZ-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 45A
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K3794-E1-AZ-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3794-E1-AZ-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3794-E1-AZ-VB K3794-E1-AZ-VB数据手册

K3794-E1-AZ-VB封装设计

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500+ ¥ 1.5558
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型号 价格(含增值税)
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