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KF5N65D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) \n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO252,具有稳定可靠的性能。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。
供应商型号: KF5N65D-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KF5N65D-VB

KF5N65D-VB概述

    KF5N65D MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    KF5N65D 是一款 N 沟道功率 MOSFET,专为高效率开关应用而设计。它具有低门极电荷(Qg),这使得驱动要求简单化,同时具有改善的门极抗压能力及动态 dv/dt 耐压性能。这款 MOSFET 全面验证了电容特性和雪崩电压电流,符合 RoHS 指令。

    2. 技术参数


    - 基本规格:
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 650 V
    - 阈值电压 \( V{GS(th)} \): 2.0 - 4.0 V
    - 开启时门源电荷 \( Q{GS} \): 3 nC
    - 关断时门极电荷 \( Q{GD} \): 6 nC
    - 最大导通电阻 \( R{DS(on)} \) (当 \( V{GS} = 10 V \)): 0.95 Ω
    - 最大总栅极电荷 \( Qg \): 15 nC
    - 性能参数:
    - 最大持续漏电流 \( ID \) (TC = 25 °C): 5 A
    - 最大脉冲漏电流 \( I{DM} \): 16 A
    - 最大单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 120 mJ
    - 工作结温和存储温度范围: -55 °C 到 +150 °C
    - 热阻参数:
    - 最大结点到环境热阻 \( R{thJA} \)
    - 最大结点到外壳热阻 \( R{thJC} \)
    - 典型特性:
    - 图 1 - 输出特性
    - 图 2 - 转移特性
    - 图 3 - 导通电阻随温度变化
    - 图 4 - 输入电容随漏源电压变化
    - 图 5 - 栅极电荷随门极电压变化

    3. 产品特点和优势


    - 低门极电荷: 降低了驱动要求,简化了设计复杂度。
    - 增强的可靠性: 改善了门极、雪崩和动态 dv/dt 的鲁棒性。
    - 全面的电容特性: 包括 \( C{iss} \), \( C{oss} \), 和 \( C{rss} \),确保全面的电路特性评估。
    - 符合RoHS标准: 适用于绿色电子产品。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用领域: 主要应用于高频开关电源、电机驱动和照明系统。
    - 使用建议:
    - 在设计时需考虑高瞬态热阻的影响,以避免器件过热。
    - 使用适当的驱动电路来降低 dv/dt 压力,确保可靠操作。
    - 确保 PCB 设计低杂散电感,避免电流尖峰引起的问题。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 可与标准封装和各种驱动器配合使用。
    - 厂商支持: 厂商提供详尽的技术文档、应用指南和支持,帮助客户顺利进行设计和调试。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 过高的漏电流。
    - 解决方案: 检查电路中的接线错误,特别是高电位线路连接。
    - 问题: 温度过高导致性能下降。
    - 解决方案: 确保良好的散热机制,如使用散热片和优化 PCB 布局。

    7. 总结和推荐


    KF5N65D MOSFET 以其低门极电荷、出色的鲁棒性和广泛的适用性成为市场上非常吸引人的选择。它的高效能和可靠的设计使其非常适合于多种电力电子应用。强烈推荐用于需要高性能和高可靠性的设计项目中。
    联系信息:
    如需更多信息,请访问 [www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com) 或联系服务热线:400-655-8788。

KF5N65D-VB参数

参数
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 30V
栅极电荷 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 5A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

KF5N65D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KF5N65D-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KF5N65D-VB KF5N65D-VB数据手册

KF5N65D-VB封装设计

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