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K3068-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
供应商型号: K3068-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3068-VB

K3068-VB概述

    K3068-VB N-Channel 550V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    K3068-VB 是一款 N-Channel MOSFET,采用 TO-220 Fullpak 封装,适用于高电压环境。它具有低面积特定导通电阻、低输入电容(Ciss)、低容性开关损耗、高体二极管耐用性以及可重复性雷击能量额定值(UIS)等特性。此外,它还具备简单的门驱动电路,成本低且开关速度快。
    应用领域:
    - 消费电子产品(如液晶电视或等离子电视)
    - 服务器和电信电源
    - 工业应用(如焊接、感应加热、电机驱动)
    - 电池充电器
    - 功率因数校正(PFC)

    2. 技术参数


    以下是 K3068-VB 的关键技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 V |
    | 漏源电压 | VDS 550 V |
    | 漏源电流 (连续) | ID 18 A |
    | 漏源电流 (脉冲) | IDM 56 A |
    | 阈值电压 | VGS(th) | 2 | 4 V |
    | 开启状态电阻 | RDS(on) 0.26 Ω |
    | 栅源电荷 | QGS 12 nC |
    | 栅漏电荷 | QGD 25 nC |
    其他参数还包括输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)和反向传输电容(Crss)等。

    3. 产品特点和优势


    - 低面积特定导通电阻:有助于提高能效和减少热耗散。
    - 低输入电容:降低容性开关损耗,提升高频应用性能。
    - 高体二极管耐用性:增强抗浪涌能力。
    - 简单门驱动电路:易于集成和使用。
    - 低成本:经济实惠,适合大批量生产。
    - 快速开关:适合高频率应用,提高系统效率。

    4. 应用案例和使用建议


    K3068-VB 广泛应用于消费电子产品、服务器和电信电源、工业应用(如焊接和感应加热)、电池充电器及功率因数校正(PFC)。以下是一些具体的应用案例和使用建议:
    - 消费电子产品:可以用于电视、显示器等设备,提供高效能电源管理。
    - 服务器和电信电源:确保高效的电源转换和调节,满足严格的能效标准。
    - 工业应用:例如在焊接过程中,提供可靠的功率控制,提高生产效率。
    - 电池充电器:快速而安全地为各种设备充电,提升用户体验。
    - PFC:用于提高功率因数,减少谐波失真,符合全球能效标准。
    使用建议:
    - 在高频应用中,应注意选择合适的栅极驱动电阻,以避免过高的开关损耗。
    - 在高温环境中使用时,应考虑到温度对导通电阻的影响,适当调整电路设计。

    5. 兼容性和支持


    K3068-VB 与大多数标准的栅极驱动电路兼容。制造商提供了详尽的技术支持文档和在线资源,包括详细的测试电路和实验数据。客户可以通过服务热线(400-655-8788)获取进一步的支持。

    6. 常见问题与解决方案


    根据技术手册,以下是一些常见的问题及其解决方案:
    - 问题1:电路在高电压下不稳定。
    解决方案:检查电路连接是否正确,特别是栅极驱动电阻的阻值是否符合要求。

    - 问题2:开关速度慢。
    解决方案:考虑降低栅极驱动电阻,或使用更快的驱动器。
    - 问题3:过热问题。
    解决方案:增加散热措施,例如使用更大的散热片或改进电路布局,以提高散热效率。

    7. 总结和推荐


    K3068-VB N-Channel MOSFET 综合性能优秀,具备低成本、高效能的特点,在多种应用领域中表现出色。无论是消费电子、服务器和电信电源还是工业应用,它都能提供可靠的解决方案。总体而言,我们推荐 K3068-VB 作为高性能和可靠性的首选。
    以上是关于 K3068-VB N-Channel 550V MOSFET 的详细解析,涵盖了产品特点、技术参数、应用案例及使用建议等方面,希望能帮助您更好地了解和使用这一电子元器件。

K3068-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 18A
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 550V
配置 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3068-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3068-VB数据手册

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K3068-VB封装设计

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