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UF3205L-TQ2-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,150A,RDS(ON),4mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性,能够满足中等功率、高电流应用的要求,是一款适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。
供应商型号: UF3205L-TQ2-T-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UF3205L-TQ2-T-VB

UF3205L-TQ2-T-VB概述

    UF3205L-TQ2-T N-Channel 60V MOSFET 技术手册

    产品简介


    UF3205L-TQ2-T 是由VBsemi公司生产的N沟道60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种MOSFET以其卓越的性能和可靠性在各种电子应用中广受青睐。它采用先进的TrenchFET®技术,确保低导通电阻(RDS(on))和高电流承载能力。UF3205L-TQ2-T 主要应用于电源管理、马达控制和开关电源等领域。

    技术参数


    - 额定电压:60V (D-S)
    - 最大栅源电压:±20V
    - 连续漏极电流:TC=25°C 时 150A,TC=125°C 时 65A
    - 单脉冲雪崩电流:65A
    - 单脉冲雪崩能量:211mJ
    - 最大功耗:TC=25°C 时 220W,TC=125°C 时 70W
    - 工作温度范围:-55°C 至 +175°C
    - 热阻抗:
    - 结到环境(PCB安装):40°C/W
    - 结到外壳(漏极):0.65°C/W

    产品特点和优势


    UF3205L-TQ2-T 的独特功能包括:
    - TrenchFET®技术:提供更低的导通电阻和更高的电流承载能力。
    - 低热阻封装:优化散热设计,提高可靠性。
    - 全面测试:包括栅极电阻和雪崩耐量测试,确保产品质量和稳定性。
    这些特点使其在高温、高电流环境下仍能保持出色的性能,适用于严苛的应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源转换:用于DC-DC转换器,提高效率和功率密度。
    - 马达控制:在变频器中作为开关元件,实现精准的速度和转矩控制。
    - 照明系统:在LED驱动器中提供稳定的电流调节。
    使用建议:
    - 确保在高温环境中正确散热,以避免因过热导致的性能下降。
    - 使用合适的栅极驱动电路,以减少开关损耗并优化开关速度。

    兼容性和支持


    UF3205L-TQ2-T 具有广泛的兼容性,可与多种电子元器件和设备配合使用。VBsemi公司提供了详尽的技术支持和维护服务,确保用户能够充分利用产品的潜力。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关损耗过高 | 调整栅极驱动电压和电阻,优化开关时间。 |
    | 过热保护失效 | 检查散热设计是否合理,确保充分的散热措施。 |
    | 导通电阻异常升高 | 确认工作条件是否在额定范围内,检查是否存在过载情况。 |

    总结和推荐


    UF3205L-TQ2-T N-Channel 60V MOSFET 在性能、可靠性和适用性方面表现出色,尤其适合在高功率、高温环境下的应用。它的低导通电阻、高电流承载能力和优秀的散热设计使其成为许多关键应用的理想选择。我们强烈推荐此产品给需要高性能MOSFET的工程师和技术专家。

UF3205L-TQ2-T-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 150A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UF3205L-TQ2-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UF3205L-TQ2-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UF3205L-TQ2-T-VB UF3205L-TQ2-T-VB数据手册

UF3205L-TQ2-T-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
800+ ¥ 3.3111
库存: 400000
起订量: 10 增量: 800
交货地:
最小起订量为:10
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型号 价格(含增值税)
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