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UT3N01ZL-AE3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3 适用于低功率电路应用。其特点是低漏极电流和低功耗,适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。采用Trench技术,具有较高的栅极-源极电阻,适合用于低功率应用。
供应商型号: UT3N01ZL-AE3-R-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT3N01ZL-AE3-R-VB

UT3N01ZL-AE3-R-VB概述


    产品简介


    N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 是一种低阈值电压、高开关速度的场效应晶体管(MOSFET)。这类器件广泛应用于逻辑电平接口(如TTL/CMOS)、驱动系统(如继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器等),电池供电系统及固态继电器等领域。该MOSFET符合RoHS指令2002/95/EC标准,是绿色电子产品的理想选择。

    技术参数


    | 参数 | 描述 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | 漏极与源极之间的最大电压 | 60 V |
    | 栅极-源极电压 | 栅极与源极之间的最大电压 | ±20 V |
    | 持续漏电流 | 25 °C时的最大漏电流 250 | 150 | mA |
    | 脉冲漏电流 | 短时间内允许的最大脉冲漏电流 800 mA |
    | 功耗 | 25 °C时的最大功耗 0.30 | 0.13 | W |
    | 结点至环境热阻 | 25 °C时的结点至环境热阻 350 °C/W |
    | 工作结温和存储温度 | 工作和存储的最大结温范围 | -55 150 | °C |

    产品特点和优势


    - 低阈值电压:有助于简化电路设计。
    - 低输入电容:适合高速电路。
    - 快速开关速度:减少开关损耗。
    - 无卤素设计:符合环保要求。
    - 高可靠性:适用于恶劣环境。

    应用案例和使用建议


    该MOSFET广泛用于电池供电设备,如无线传感器网络、便携式医疗设备、手持工具等。对于需要高频切换的应用,如电源转换器和DC-DC转换器,它也表现出色。在实际使用中,建议在高温环境下降低电流负载,以避免过热现象。

    兼容性和支持


    该产品适用于大多数SOT-23封装的电路板。厂商提供技术支持和详细的用户指南,确保产品在各种应用场景下的正常运行。客户还可以通过热线电话获取技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:过热导致器件损坏。
    解决方案:确保散热片设计良好,限制最大功耗。
    2. 问题:高频应用中信号完整性问题。
    解决方案:使用适当的门电阻和去耦电容来减少噪声。

    总结和推荐


    该N-Channel 60-V MOSFET 在低阈值电压和快速开关速度方面表现卓越,非常适合用于高频开关应用和电池供电设备。综合考虑其可靠性和环保特性,推荐使用此产品。

UT3N01ZL-AE3-R-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
Id-连续漏极电流 300mA
通道数量 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT3N01ZL-AE3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT3N01ZL-AE3-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT3N01ZL-AE3-R-VB UT3N01ZL-AE3-R-VB数据手册

UT3N01ZL-AE3-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
140+ ¥ 0.1945
300+ ¥ 0.1801
500+ ¥ 0.1729
3000+ ¥ 0.1657
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型号 价格(含增值税)
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