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SPP30N03L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块,如电动车控制器、工业电源模块和焊接设备控制器等领域。
供应商型号: SPP30N03L-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) SPP30N03L-VB

SPP30N03L-VB概述


    产品简介


    N-Channel 30-V MOSFET简介
    N-Channel 30-V MOSFET是一种高性能的功率场效应晶体管(Power MOSFET),属于TrenchFET®系列。这种MOSFET主要用于需要高可靠性的电路中,比如电源管理和服务器应用等。由于其低导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力,使其在各类直流-直流转换器和电池管理系统中发挥重要作用。

    技术参数


    - 漏极-源极电压 (VDS):30V
    - 栅极-源极电压 (VGS):±20V
    - 连续漏极电流 (ID):120A (TC = 25°C),60A (TC = 70°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):380A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):64.8V
    - 连续源极-漏极二极管电流 (IS):90A (TC = 25°C)
    - 最大功耗 (PD):250W (TC = 25°C),175W (TC = 70°C)
    - 热阻 (RthJA):32°C/W (最大值)
    - 结温与存储温度范围 (TJ, Tstg):-55°C至175°C

    产品特点和优势


    N-Channel 30-V MOSFET具有以下显著特点:
    1. 高可靠性:所有批次都通过了Rg和UIS测试,符合RoHS标准。
    2. 低导通电阻:在不同栅极电压下均保持较低的导通电阻(例如,10V时为0.003Ω)。
    3. 大电流处理能力:能处理高达120A的连续电流,适合各种高负载需求的应用。
    4. 低热阻:32°C/W的最大热阻使该器件能在高温环境下稳定运行。
    5. 高抗压能力:最高可承受30V的漏极-源极电压。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    该MOSFET广泛应用于OR-ing、服务器和DC/DC转换器中。在这些应用场景中,它能够提供高效、可靠的电力传输,确保系统稳定运行。
    使用建议
    - 在设计时应注意散热问题,以避免过高的结温导致器件损坏。
    - 为了提高效率,可以考虑使用更低导通电阻的型号以减少功耗。

    兼容性和支持


    该MOSFET在多种电路和系统中都有良好的兼容性。厂商提供全面的技术支持,包括详细的使用指南和技术文档,帮助用户更好地了解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 如何正确安装MOSFET?
    - 确保散热片与MOSFET的散热面紧密接触,以便有效散热。

    2. 如何避免过热问题?
    - 使用散热片或散热风扇增强散热效果,降低结温。
    3. 如何选择合适的MOSFET型号?
    - 考虑应用需求,如所需的电流、电压及散热条件等,选择最匹配的型号。

    总结和推荐


    综合评估
    N-Channel 30-V MOSFET是一款专为高电流应用而设计的高性能功率MOSFET。其低导通电阻、大电流处理能力和高可靠性使其成为众多应用场合的理想选择。
    推荐结论
    鉴于其卓越的性能和广泛的适用性,强烈推荐该MOSFET用于需要高电流处理能力且对可靠性要求较高的场合。无论是服务器电源管理还是其他电力应用,这款器件都能提供出色的性能表现。

SPP30N03L-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
配置 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,4mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 120A
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

SPP30N03L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

SPP30N03L-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 SPP30N03L-VB SPP30N03L-VB数据手册

SPP30N03L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.0997
100+ ¥ 1.9441
500+ ¥ 1.8663
1000+ ¥ 1.7886
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型号 价格(含增值税)
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