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K3484-ZK-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N型场效应管,适用于多种应用场景。具有高达100V的漏极-源极电压、20V的栅极-源极电压和1.8V的门槽电压。在VGS=10V时,漏极-源极电阻为114m?,适用于广泛的电压工作范围。采用Trench技术,提供了更好的性能和可靠性
供应商型号: K3484-ZK-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3484-ZK-VB

K3484-ZK-VB概述

    N-Channel 100V MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    本手册介绍了N-Channel 100V MOSFET(场效应晶体管)的主要特性及其应用。该产品采用TrenchFET®技术,具有高耐温性能(最高可达175°C),适用于脉冲宽度调制(PWM)应用,特别是在主电源开关中的使用。

    技术参数


    - 基本参数:
    - VDS(漏源电压):100V
    - RDS(on)(导通电阻):具体数值视驱动电压而定,例如在VGS=10V时为0.140Ω。
    - ID(连续漏电流):最高13A(在25°C时)。
    - 电气特性:
    - 最大脉冲漏电流IDM:40A
    - 最大单脉冲雪崩能量EAS:18mJ
    - 最大功率耗散PD:96W(25°C时)
    - 热阻RthJA:15°C/W(瞬态),40°C/W(稳态)
    - 工作环境:
    - 操作结温和存储温度范围:-55°C至175°C

    产品特点和优势


    该N-Channel 100V MOSFET的主要特点是其高可靠性、优化的PWM工作性能、以及100% Rg测试保证。它符合RoHS指令,适用于各种高温环境下的应用,是主电源开关的理想选择。

    应用案例和使用建议


    该产品适用于PWM电路中的主电源开关,特别适合用于需要高耐温性能的应用。例如,在电机驱动系统中,由于其低导通电阻,可以有效减少功耗和热量产生。在设计和使用此类器件时,建议严格遵循热管理和负载分配的最佳实践。

    兼容性和支持


    该器件采用标准的TO-252封装形式,确保了良好的电气连接性和物理耐用性。厂商提供技术支持和维护,包括详细的电气特性和机械尺寸数据,以帮助用户更好地理解和应用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:过高的漏电流导致发热严重。
    - 解决方案:确保散热良好,适当增加散热片或使用冷却风扇来降低器件温度。
    - 问题2:导通电阻过高,导致功耗增大。
    - 解决方案:尽量在较高的驱动电压下操作,以降低导通电阻。

    总结和推荐


    该N-Channel 100V MOSFET凭借其高耐温性能和优异的电气特性,非常适合应用于PWM控制的电源开关系统。考虑到其在实际应用中的稳定性和可靠性,我们强烈推荐此产品作为高要求应用场合的选择。
    以上内容基于提供的技术手册进行了详尽的整理和分析,希望对您有所帮助。

K3484-ZK-VB参数

参数
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 115mΩ@10V,121mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 18A
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K3484-ZK-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3484-ZK-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3484-ZK-VB K3484-ZK-VB数据手册

K3484-ZK-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
2500+ ¥ 1.4911
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型号 价格(含增值税)
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