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WPM3012-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nVBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。\nVDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
供应商型号: WPM3012-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WPM3012-VB

WPM3012-VB概述


    产品简介


    P-Channel 30V (D-S) MOSFET
    P-Channel MOSFET 是一种广泛应用于移动计算领域的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于负载开关、笔记本适配器开关及直流转换器等应用。通过采用沟槽式TrenchFET® 技术,它能够提供更高的效率和更好的性能。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | -30 | V |
    | 漏源击穿电压 | VDS | VGS=0V,ID=-250μA | - | -30 | V |
    | 门源阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=-250μA | -0.5 | 2.0 | V |
    | 零门电压漏电流 | IDSS | VDS=-30V,VGS=0V | -1 | µA |
    | 导通漏源电阻 | RDS(on) | VGS=-10V,ID=-4.4A | 0.046 | Ω |
    | 最大脉冲漏电流 | IDM | - | - | -18 | A |
    | 最大耗散功率 | PD | TC=25°C | 2.5 | W |
    | 最大接合温度 | TJ | -55 | - | 150 | °C |
    | 热阻抗 | RthJA | - | 75 | 100 | °C/W |

    产品特点和优势


    P-Channel MOSFET 采用了先进的TrenchFET®技术,具备以下显著特点和优势:
    - 高可靠性:通过全栅测试(100% Rg 测试),确保每个单元都符合标准。
    - 高效能:低导通电阻(RDS(on)),使得在高电流环境下仍能保持低功耗。
    - 高开关速度:快速的开关时间,适合高频电路设计。
    - 紧凑封装:采用TO-236(SOT-23)封装,节省空间且易于安装。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 笔记本适配器开关:利用其高耐压能力和低导通电阻,可以有效地控制电源开关。
    - 负载开关:适用于各种需要频繁切换的大电流电路,如服务器电源管理。
    - DC/DC转换器:在转换过程中保持高效稳定,提高整体系统性能。
    使用建议
    - 在设计应用电路时,考虑最大电流限制,避免超过其额定电流。
    - 使用散热片或风扇来辅助散热,以防止因过热而导致的性能下降。
    - 选择合适的栅极驱动器和布局设计,减少寄生电容对开关性能的影响。

    兼容性和支持


    P-Channel MOSFET 具有良好的兼容性,可以与其他常见的电子元器件一起使用。厂商提供全面的技术支持和服务,包括免费的技术咨询、产品维修和替换服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率不稳定 | 检查电路布局,特别是走线长度和驱动器的稳定性。 |
    | 过热保护启动 | 添加外部散热措施或改进散热设计。 |
    | 导通电阻异常增大 | 检查焊接是否良好,是否有短路现象。 |

    总结和推荐


    综上所述,P-Channel MOSFET 是一款非常优秀的电子元器件,其高效的性能、可靠的稳定性和广泛的应用领域使其在市场上极具竞争力。对于需要处理高电流、低损耗的应用场合,强烈推荐使用这款产品。如果您正在寻找一个高可靠性的解决方案,P-Channel MOSFET 无疑是一个理想的选择。

WPM3012-VB参数

参数
最大功率耗散 -
FET类型 1个P沟道
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 47mΩ@10V,56mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 5.6A
通道数量 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

WPM3012-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WPM3012-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 WPM3012-VB WPM3012-VB数据手册

WPM3012-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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300+ ¥ 0.3234
500+ ¥ 0.3105
3000+ ¥ 0.2975
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