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ELM14444AA-N-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n该产品为单体N型MOSFET,具有以下特性:\n- 最大漏极电压(VDS)为30V,适用于中等功率应用。\n- 最大门源电压(VGS)为±20V,兼容多种驱动电路。\n- 阈值电压(Vth)为1.7V,具有良好的开关特性。\n- 在VGS=4.5V时,导通电阻为5m?;在VGS=10V时,导通电阻为4m?,具有低导通电阻和低开关损耗。\n- 最大漏极电流(ID)为18A,可满足多种应用场景的电流需求。\n- 采用Trench工艺,具有优异的热特性和可靠性。\n- 封装为SOP8,便于PCB布局和焊接。
供应商型号: ELM14444AA-N-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ELM14444AA-N-VB

ELM14444AA-N-VB概述


    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种高性能的电子元器件,主要用于高侧同步整流操作。它具有多种优势和广泛的应用场景,包括笔记本电脑CPU核心的高侧开关。本产品采用无卤材料制成,并通过TrenchFET®工艺制造,确保高效和可靠的性能。

    技术参数


    以下是N-Channel 30-V MOSFET的关键技术参数:
    - 电压参数:
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 30 V
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 30 V
    - 电源电压 \( V{GS} \): ± 20 V
    - 电流参数:
    - 连续漏极电流 \( ID \): 18 A (在 \( TC = 25^\circ C \))
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 50 A
    - 单脉冲雪崩电流 \( I{AS} \): 22 A
    - 雪崩能量 \( E{AS} \): 24 mJ
    - 电阻参数:
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - 在 \( V{GS} = 10 V \), \( ID = 11 A \) 时为 0.004 Ω
    - 在 \( V{GS} = 4.5 V \), \( ID = 10 A \) 时为 0.005 Ω
    - 热阻抗:
    - 最大结点到环境热阻 \( R{thJA} \): 38 °C/W
    - 最大结点到脚热阻 \( R{thJF} \): 22 °C/W

    产品特点和优势


    1. 无卤材料:适用于环保需求较高的场合。
    2. TrenchFET®工艺:保证高效的电力传输性能。
    3. 高可靠性测试:所有产品都经过100%的栅极电阻测试和UIS测试。
    4. 优化设计:专为高侧同步整流操作而优化。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 笔记本电脑CPU核心高侧开关:适用于提高系统能效和减少发热。
    2. 电池充电电路:实现更稳定和高效的充电管理。
    使用建议
    1. 散热设计:由于其较高的热阻,建议增加散热片或使用高效散热器。
    2. 合理布局:在电路板上合理布置,避免热集中区域。
    3. 测试验证:建议在不同环境温度下进行充分测试,以确保其在各种工况下的稳定性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与其他主流电路板和设备具有良好的兼容性,但需注意具体型号和规格要求。
    - 支持和维护:VBsemi公司提供全面的技术支持,包括在线文档、技术支持热线等。客户可以随时联系官方渠道获取帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 过热问题
    - 解决方案:使用散热器,合理布局电路板,并确保良好的通风环境。
    2. 漏电流过高
    - 解决方案:检查电路设计,确保所有连接正确无误。必要时更换符合标准的电容和电阻。
    3. 电压波动
    - 解决方案:添加稳压电路,例如使用稳压二极管来稳定电压。

    总结和推荐


    N-Channel 30-V MOSFET凭借其出色的性能参数、优化的设计和广泛的应用场景,在众多电子元器件中脱颖而出。它的主要优点包括高效率、低电阻和良好的散热性能。对于需要高性能开关电源的应用,如笔记本电脑和电池管理系统,该产品是理想的选择。
    推荐使用:强烈推荐用于高可靠性和高效能要求的应用场合,特别是对热管理和能效有较高要求的应用场景。

ELM14444AA-N-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 18A
配置 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,6.5mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.72V
通道数量 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个N沟道
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

ELM14444AA-N-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ELM14444AA-N-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 ELM14444AA-N-VB ELM14444AA-N-VB数据手册

ELM14444AA-N-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.6525
100+ ¥ 1.5301
500+ ¥ 1.4688
4000+ ¥ 1.4077
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