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5N60ZL-TF1-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V)\n一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: 5N60ZL-TF1-T-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 5N60ZL-TF1-T-VB

5N60ZL-TF1-T-VB概述


    产品简介


    本产品为VBsemi公司的N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET(型号:5N60ZL-TF1-T-VB),是一款高性能的单片N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。主要用于电源转换、电机驱动、照明控制等领域。其主要功能是实现电能的高效转换和开关控制,以满足不同应用场景的需求。

    技术参数


    | 参数 | 规格 |

    | 漏源电压(VDS) | 650 V |
    | 栅源电压(VGS) | ±30 V |
    | 持续漏电流(TC) | ID=3.8 A |
    | 脉冲漏电流(IDM) | 18 A |
    | 单脉冲雪崩能量(EAS) | 325 mJ |
    | 反复雪崩电流(IAR) | 4 A |
    | 反复雪崩能量(EAR) | 6 mJ |
    | 最大功率耗散(PD) | 30 W |
    | 接触热阻(RthJA) | 65 °C/W |
    | 结至外壳热阻(RthJC) | 2.1 °C/W |
    | 热瞬态阻抗(最大值) | ZthJC = 1.33 °C/W |
    | 静态参数
    | 漏源击穿电压(VDS) | 650 V |
    | 栅源阈值电压(VGS(th)) | 2.0 - 4.0 V |
    | 栅源漏电流(IGSS) | ±100 nA |
    | 栅极总充电量(Qg) | 48 nC |
    | 开启延迟时间(td(on)) | 1 ns |
    | 上升时间(tr) | 20 ns |
    | 关闭延迟时间(td(off)) | 34 ns |
    | 下降时间(tf) | 18 ns |

    产品特点和优势


    5N60ZL-TF1-T-VB的主要特点如下:
    - 低栅极电荷(Qg):降低了驱动需求,有助于简化设计。
    - 增强的栅极、雪崩和动态dv/dt鲁棒性:提高了可靠性,增强了器件在高压环境下的稳定性和耐久性。
    - 全范围电容和雪崩电压、电流特征:提供了可靠的电气特性和温度特性,确保长期稳定性。
    - 符合RoHS标准:环保且可回收,满足国际环保要求。

    应用案例和使用建议


    该器件广泛应用于各种功率转换电路中,例如电源适配器、马达驱动器、照明控制系统等。对于电源转换的应用场景,可以考虑在低压高电流条件下使用,确保系统整体性能稳定。
    使用建议:
    - 在设计电路时,需考虑功率损耗和热管理问题,合理布置散热器以保证器件的正常工作。
    - 对于高频应用,需要特别注意器件的开关速度特性,避免过高的dv/dt导致噪声问题。

    兼容性和支持


    - 兼容性:5N60ZL-TF1-T-VB适用于大多数通用功率MOSFET应用,与多种电路板设计兼容。
    - 技术支持:制造商提供详尽的技术文档和应用指南,同时设有专门的服务热线(400-655-8788),方便客户咨询和解决问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高功率应用场景下,功率耗散显著增加。
    - 解决方案:通过增加散热片或风扇改善散热效果,减少热应力。
    2. 问题:在高频工作状态下,存在明显的电磁干扰(EMI)。
    - 解决方案:添加合适的滤波器和屏蔽材料,降低EMI影响。

    总结和推荐


    综上所述,5N60ZL-TF1-T-VB具有优秀的电气特性和可靠性,能够满足大多数功率转换和控制应用场景的需求。推荐该产品作为高效率和高性能的首选方案。如果您正在寻找一款可靠且高效的功率MOSFET,那么5N60ZL-TF1-T-VB是一个值得选择的产品。

5N60ZL-TF1-T-VB参数

参数
栅极电荷 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 4A
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

5N60ZL-TF1-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

5N60ZL-TF1-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 5N60ZL-TF1-T-VB 5N60ZL-TF1-T-VB数据手册

5N60ZL-TF1-T-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:15
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型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
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15N10 ¥ 0.336
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