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KF5N50DZ-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) \n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO252,具有稳定可靠的性能。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。
供应商型号: KF5N50DZ-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KF5N50DZ-VB

KF5N50DZ-VB概述

    KF5N50DZ N-Channel MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    KF5N50DZ 是一款由 VBsemi 生产的 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于广泛的电力转换和驱动应用。MOSFET 具有低导通电阻(RDS(on))和高耐压(VDS)等特点,使其非常适合用于开关电源、电机驱动、电池充电器等场合。

    技术参数


    - 基本规格
    - 耐压(VDS):650V
    - 导通电阻(RDS(on))@ VGS = 10V:0.95Ω
    - 最大总栅极电荷(Qg):15nC
    - 最大栅源电荷(Qgs):3nC
    - 最大栅漏电荷(Qgd):6nC
    - 配置:单通道
    - 绝对最大额定值
    - 源漏电压(VDS):650V
    - 栅源电压(VGS):±30V
    - 连续漏极电流(ID)@ TC = 25°C:5A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):120mJ
    - 重复雪崩电流(IAR):34A
    - 最大功耗(PD)@ TC = 25°C:205W
    - 最高工作温度(TJ, Tstg):-55°C 至 +150°C
    - 电气特性
    - 动态 dV/dt 响应:4.5V/ns
    - 正向恢复时间(trr):180ns
    - 反向恢复电荷(Qrr):2.1µC 至 3.2µC

    产品特点和优势


    KF5N50DZ 具有多项显著优势:
    - 低栅极电荷:低栅极电荷(Qg)简化了驱动要求,减少了对额外驱动电路的需求。
    - 增强的坚固性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 的耐用性。
    - 完全标定的电容:全面标定的电容和雪崩电压电流特性。
    - 符合 RoHS 规范:产品符合 RoHS 指令 2002/95/EC。

    应用案例和使用建议


    KF5N50DZ 在许多场合下表现出色,例如:
    - 开关电源:利用其低导通电阻(RDS(on))和高耐压(VDS)特性,能够实现高效的开关控制。
    - 电机驱动:其坚固性和低栅极电荷特性使其适合于高频率驱动的应用。
    - 电池充电器:适合在高可靠性需求的场合下使用,确保稳定的充电过程。
    建议在选择合适的栅极电阻时,参考图 10 和图 11 中提供的数据,以达到最佳的开关速度和效率。

    兼容性和支持


    KF5N50DZ 与标准的 TO-220AB、TO-252 和 TO-251 封装兼容,便于集成到现有设计中。厂商提供详细的使用指南和技术支持,确保用户可以充分利用产品的性能。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定合适的栅极电阻?
    - 解决方案:参考图 10 中的测试电路,根据所需的开关时间和驱动电流选择合适的栅极电阻。

    - 问题:如何避免热失控?
    - 解决方案:合理设计散热系统,并遵循制造商提供的最大功耗限制,确保器件在安全的工作温度范围内运行。

    总结和推荐


    KF5N50DZ 作为一款高性能的 N 沟道 MOSFET,在诸多应用中展现出了卓越的性能和稳定性。其低导通电阻、高耐压和优良的坚固性使得它成为电源管理、电机驱动和电池充电器等领域的理想选择。推荐在需要高效能和可靠性的应用中采用此产品。

KF5N50DZ-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 30V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 5A
配置 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

KF5N50DZ-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KF5N50DZ-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KF5N50DZ-VB KF5N50DZ-VB数据手册

KF5N50DZ-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
2500+ ¥ 2.8502
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