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K3219-01MR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,45A,RDS(ON),38mΩ@10V,43mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: K3219-01MR-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3219-01MR-VB

K3219-01MR-VB概述

    # K3219-01MR-VB N-Channel 200-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本信息
    - 产品类型: N-Channel 200-V MOSFET
    - 主要功能: 作为功率开关管,用于电源管理和照明系统等应用场景
    - 应用领域: 适用于电源供应和照明系统等电子设备

    技术参数


    关键参数
    - 漏源电压(VDS): 200V
    - 栅源电压(VGS): ±25V
    - 连续漏极电流(ID): 45A(TC = 25°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM): 150A
    - 单脉冲雪崩电流(IAS): 20A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 20mJ
    - 最大功率耗散(PD): 55W(TA = 25°C)
    特殊条件
    - 结到环境热阻(RthJA): 40°C/W
    - 结到外壳热阻(RthJC): 0.75°C/W
    - 工作温度范围(TJ 和 Tstg): -55°C 至 175°C
    动态特性
    - 输入电容(Ciss): 28pF
    - 输出电容(Coss): 180pF
    - 反向转移电容(Crss): 80pF
    - 总栅电荷(Qg): 34nC(Typ)
    - 栅源电荷(Qgs): 8nC
    - 栅漏电荷(Qgd): 12nC
    - 栅电阻(Rg): 0.5 至 2.9Ω

    产品特点和优势


    - TrenchFET® Power MOSFETS: 具备更高的电流密度和更低的导通电阻
    - 高温稳定性: 能够在高达175°C的结温下稳定工作
    - 高可靠性测试: 100% 额定栅极电阻和雪崩击穿电流测试

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源供应: 适合用于各种电源转换设备中,如开关电源
    - 照明系统: 可用于LED照明系统的驱动电路中
    使用建议
    - 在设计电路时,确保输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)和反向转移电容(Crss)的参数与所选应用相匹配。
    - 考虑使用散热片以提升散热效果,特别是在高功率条件下使用时。
    - 为了确保可靠的雪崩击穿保护,应根据应用场景选择合适的箝位二极管。

    兼容性和支持


    兼容性
    - K3219-01MR-VB与标准的220封装兼容,便于直接替换同类型的器件。
    - 该产品符合RoHS规范,适用于环保要求较高的应用场合。
    支持
    - 服务热线: 400-655-8788
    - 网站: www.VBsemi.com

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. Q: 为什么我在高温环境下使用时会发现器件异常?
    - A: 确保工作温度在器件规定的范围内。如需长期在高温环境下使用,应加强散热措施。
    2. Q: 如何正确处理静电放电(ESD)?
    - A: 在安装前务必接地,确保操作人员穿着防静电服装并使用防静电工具。
    3. Q: 我如何判断是否需要更换新器件?
    - A: 定期检查器件的工作温度和电流,如果超过最大额定值且不能通过调整电路改善,则需要考虑更换。

    总结和推荐


    综合评估
    - 主要优点: 高温稳定性、快速响应、低损耗和紧凑封装
    - 适用场景: 适用于各种高压和高功率应用场景,如电源管理和LED驱动
    - 可靠性: 经过严格的质量控制和100%测试验证
    推荐使用
    K3219-01MR-VB是一款高性能、高可靠性的N-Channel MOSFET,适用于多种工业和消费电子产品。其卓越的耐高温特性和紧凑的设计使其成为替代传统MOSFET的理想选择。强烈推荐在电源管理和其他高压应用中使用。

K3219-01MR-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 38mΩ@10V,43mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
配置 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Id-连续漏极电流 45A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3219-01MR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3219-01MR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3219-01MR-VB K3219-01MR-VB数据手册

K3219-01MR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 9.7175
100+ ¥ 8.9977
500+ ¥ 8.2779
1000+ ¥ 7.9179
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