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SI3471DV-T1-GE3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-4.8A,RDS(ON),49mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT23-6
供应商型号: SI3471DV-T1-GE3-VB SOT23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) SI3471DV-T1-GE3-VB

SI3471DV-T1-GE3-VB概述

    SI3471DV-T1-GE3 P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

    产品简介


    SI3471DV-T1-GE3 是一款采用 TrenchFET 技术的 P 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有 30V 的漏源电压额定值。这款 MOSFET 主要应用于负载开关等场合,适用于多种电源管理设计。它具备低导通电阻和较高的栅极电荷,有助于提高效率并减小电路板空间。

    技术参数


    以下是 SI3471DV-T1-GE3 的关键技术规格:
    - 漏源电压 (VDS):30 V
    - 漏电流 (ID):在 25°C 时为 4.8 A,70°C 时为 4.1 A
    - 最大功率耗散 (PD):在 25°C 时为 3.0 W,70°C 时为 2.0 W
    - 关断状态电流 (IDSS):在 VDS = -30 V 时,IDSS 为 -1 µA
    - 导通状态电阻 (RDS(on)):在 VGS = -10 V 时为 0.049 Ω,在 VGS = -4.5 V 时为 0.054 Ω
    - 阈值电压 (VGS(th)):在 25°C 时为 -0.5 V 至 -2.0 V
    - 输入电容 (Ciss):在 1 MHz 时为 450 pF
    - 输出电容 (Coss):80 pF
    - 反向传输电容 (Crss):63 pF
    - 总栅极电荷 (Qg):在 VDS = -15 V 时为 10 至 15 nC
    - 反向恢复时间 (trr):在 25°C 时为 20 至 30 ns

    产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)):这使得该 MOSFET 在导通状态下具有更低的功耗,提高了整体电路效率。
    - 高阈值电压稳定性:保证了在各种温度条件下的稳定工作。
    - 高可靠性:符合无卤素标准,符合 IEC 61249-2-21 标准。
    - 高耐压能力:最高耐压达 30 V,适用于多种高压应用。
    - 低功耗设计:通过优化的栅极电荷,降低了开关损耗。

    应用案例和使用建议


    - 负载开关:例如在笔记本电脑、服务器和其他消费电子产品中的电源管理电路中。
    - 电路保护:用于电路过载保护,防止因电流过大而导致损坏。
    - 使用建议:为了获得最佳性能,建议在使用过程中将漏源电压控制在额定值以内,确保工作温度在允许范围内。

    兼容性和支持


    SI3471DV-T1-GE3 支持与其他常用电源管理 IC 和其他组件兼容。VBsemi 提供全面的技术支持,包括在线资源、用户手册和技术文档。如果需要进一步的技术支持,可以通过服务热线 400-655-8788 联系厂商。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1:过高的工作温度会导致热失控。
    - 解决方法:确保良好的散热措施,使用合适的散热片或风扇。
    - 问题 2:漏电流过高导致效率下降。
    - 解决方法:检查接线和电路设计,确保所有连接点正确且紧固。

    总结和推荐


    总体来说,SI3471DV-T1-GE3 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET,适用于多种电源管理和电路保护应用。它的低导通电阻和高可靠性使其在市场上具有较强的竞争力。对于需要高效能和高可靠性的设计,强烈推荐使用 SI3471DV-T1-GE3。

SI3471DV-T1-GE3-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 4.8A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-3V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 49mΩ@10V,54mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
通用封装 SOT-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

SI3471DV-T1-GE3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

SI3471DV-T1-GE3-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 SI3471DV-T1-GE3-VB SI3471DV-T1-GE3-VB数据手册

SI3471DV-T1-GE3-VB封装设计

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