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K2862_06-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V)\n一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: K2862_06-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2862_06-VB

K2862_06-VB概述

    N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

    产品简介


    本产品是一款N沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),具有650V的高耐压能力。它专为高频开关电源设计,广泛应用于电源管理、逆变器、电机驱动等领域。此款MOSFET以其低门极电荷和卓越的抗雪崩能力而著称,确保了高效的转换效率和良好的稳定性。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS): 650V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 2.5Ω (当VGS = 10V时)
    - 总栅极电荷 (Qg(Max)): 48nC
    - 输入电容 (Ciss): 最大080 pF
    - 输出电容 (Coss): 最大1912 pF
    - 栅极-源极电荷 (Qgs): 12nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd): 19nC
    - 最大连续漏电流 (ID): 3.8A
    - 最高工作温度 (TJ): -55°C至+150°C
    - 封装类型: TO-220 Fullpak
    - 符合RoHS指令

    产品特点和优势


    - 低门极电荷:低门极电荷降低了驱动要求,简化了驱动电路设计。
    - 坚固耐用:具备改善的门极、雪崩和动态dv/dt坚固性。
    - 完全特性化:完全指定的电容和雪崩电压电流。
    - 符合RoHS指令:满足环保标准,适合绿色电子产品。

    应用案例和使用建议


    此款MOSFET可应用于电源管理、逆变器和电机驱动系统。在设计电源转换器时,建议在开关频率较高的情况下使用。此外,为了提高可靠性,可以考虑增加散热片以降低器件的工作温度。

    兼容性和支持


    此款MOSFET兼容各种电路板布局和驱动电路设计。厂商提供了详尽的技术文档和支持服务,确保用户能够顺利集成并优化使用效果。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:MOSFET过热。
    - 解决方案:检查电路设计中的散热措施,确保良好散热。
    - 问题二:驱动信号不稳定。
    - 解决方案:确认驱动电路设计正确无误,并添加适当的去耦电容。

    总结和推荐


    综上所述,这款N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET凭借其高性能、稳定性和易于集成的特点,在多种应用场合中表现优异。它不仅适用于高频开关电源,还可以广泛用于各种电力电子应用。对于需要高效和可靠解决方案的设计工程师来说,这无疑是一个值得推荐的产品选择。

K2862_06-VB参数

参数
通道数量 -
Id-连续漏极电流 4A
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2862_06-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2862_06-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2862_06-VB K2862_06-VB数据手册

K2862_06-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
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1000+ ¥ 1.8212
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型号 价格(含增值税)
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