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UT3055-TN3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
供应商型号: UT3055-TN3-R-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT3055-TN3-R-VB

UT3055-TN3-R-VB概述

    UT3055-TN3-R N-Channel 30-V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    UT3055-TN3-R 是一款由 VBsemi 公司生产的N沟道30V(D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它具备先进的沟槽式TrenchFET™结构,适用于多种电子系统中的电源管理和控制。UT3055-TN3-R 主要应用于服务器电源、直流到直流转换器(DC/DC)、以及电源切换(OR-ing)等领域。这款MOSFET通过RoHS认证,符合欧盟对电子设备中有害物质的严格限制要求。

    技术参数


    UT3055-TN3-R 的技术规格包括:
    - 额定电压(VDS):30V
    - 漏极导通电阻(RDS(on)):0.007 Ω(在VGS = 10 V时)
    - 连续漏极电流(ID):最大值为8A(在70°C时),TC=25°C 时为90A
    - 总栅极电荷(Qg):25 nC(在VGS = 4.5 V时)
    - 栅源电容(Ciss):220 pF(在1 MHz时)
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):200 A
    - 最大单次脉冲雪崩能量(EAS):94.8 mJ
    - 最大功耗(PD):100 W(在TC = 25 °C时)
    UT3055-TN3-R的工作环境温度范围宽广,从-55°C至175°C,保证了其在极端条件下的可靠性。

    产品特点和优势


    - 高效率:低至0.007 Ω的导通电阻使得UT3055-TN3-R在大电流应用中表现出色,降低了功率损耗。
    - 高可靠性和稳定性:全部Rg测试和UIS测试确保了器件的高可靠性,能够在恶劣环境中保持稳定的性能。
    - 环保设计:完全符合RoHS指令,且不含卤素,适合环保型电子产品生产。
    - 广泛的适用性:适用于多种高性能电源管理应用,如服务器电源、DC/DC转换器和电源切换等。

    应用案例和使用建议


    - 服务器电源:在服务器电源设计中,UT3055-TN3-R可以用于提高系统的能源效率和稳定性。
    - DC/DC转换器:在需要高效率的电源转换场合,如通信基站或工业控制系统,UT3055-TN3-R能够显著减少能量损耗。
    - 电源切换:作为OR-ing应用的一部分,它可以帮助在不同电源之间进行快速而可靠的切换。
    使用建议:
    - 散热设计:由于较高的功耗,在高负载情况下需要良好的散热措施来维持正常工作温度。
    - 驱动电路设计:考虑到其较低的栅极电荷,适当的栅极驱动电路设计对于确保快速开关速度至关重要。

    兼容性和支持


    UT3055-TN3-R 支持标准的 TO-252 封装形式,具有良好的引脚兼容性。此外,VBsemi 提供全面的技术支持,包括详细的技术文档和专业的客户服务,以帮助用户顺利集成和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高电流条件下运行时,MOSFET的温度上升过快。
    - 解决方案:增加散热片或使用外部风扇辅助散热,同时优化PCB布局,提高热传导效率。
    2. 问题:启动时出现异常噪声。
    - 解决方案:检查驱动电路,确保正确的栅极电阻和驱动信号,必要时可采用软启动电路以降低瞬态干扰。

    总结和推荐


    综上所述,UT3055-TN3-R 是一款高效、稳定、可靠的N沟道30V MOSFET。它的低导通电阻和高可靠性使其非常适合应用于各种严苛的工业和服务器电源环境。强烈推荐给寻求高性能、环保和稳定电源管理解决方案的设计工程师。

UT3055-TN3-R-VB参数

参数
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 70A
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT3055-TN3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT3055-TN3-R-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT3055-TN3-R-VB UT3055-TN3-R-VB数据手册

UT3055-TN3-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
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