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NCE80H16-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,80V,195A,RDS(ON),3mΩ@10V,3.6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: NCE80H16-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE80H16-VB

NCE80H16-VB概述

    NCE80H16 N-Channel 80V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NCE80H16 是一款由VBsemi生产的N沟道80V(漏源)功率MOSFET。这款器件采用了先进的TrenchFET®工艺,具有非常低的通态电阻和优秀的动态性能,适用于多种电源管理和驱动应用。该产品的主要功能包括:
    - 极高的耐热性,最高可承受175℃的结温;
    - 超低的栅漏电荷(Qgd),减少了从Vplateau通过时的能量损耗;
    - 100%的Rg和UIS测试。
    应用领域:
    - 电源:次级同步整流
    - DC/DC转换器
    - 功率工具
    - 驱动电机
    - DC/AC逆变器
    - 电池管理

    2. 技术参数


    绝对最大额定值(TC=25℃):
    | 参数 | 符号 | 限制 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | VDS | 80 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 连续漏极电流 | ID | 195 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 600 | A |
    | 单脉冲雪崩电流 | IAS | 70 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 245 | mJ |
    | 最大耗散功率 | PD | 375 | W |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 to +175 | ℃ |
    热阻:
    | 参数 | 符号 | 限制 | 单位 |
    ||
    | 结到环境热阻(PCB安装) | RthJA | 40 | °C/W |
    | 结到外壳热阻(漏极) | RthJC | 0.4 | °C/W |
    规格(TJ=25℃):
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
    ||
    | 静态 |
    | 漏源击穿电压 | VDS | VGS=0V, ID=250μA | 80 | - | - | V |
    | 栅阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250μA | 2 | - | 4 | V |
    | 栅体泄漏电流 | IGSS | VDS=0V, VGS=±20V | - | - | ±250 | nA |
    | 零栅源漏电流 | IDSS | VDS=80V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
    | 开启状态漏极电流 | ID(on) | VDS≥10V, VGS=10V | 120 | - | - | A |
    | 开启状态漏源电阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=30A | - | 0.0028 | - | Ω |
    | 前向跨导 | gfs | VDS=15V, ID=30A | - | 82 | - | S |

    3. 产品特点和优势


    NCE80H16 的主要特点是:
    - 高性能:低通态电阻和高耐热性使其适合高温和高电流应用。
    - 快速开关特性:超低的栅漏电荷和快速的开关时间,有助于降低开关损耗。
    - 可靠性高:100%的Rg和UIS测试保证了其在极端条件下的可靠性能。
    这些特性使其成为电源管理和电机驱动应用的理想选择,特别是在需要高效能和高可靠性的情况下。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源次级同步整流:在高频开关电源中,NCE80H16可以显著降低损耗,提高整体效率。
    - 电机驱动:其高电流能力和低电阻特性使其非常适合用于驱动各种电机,提高系统的效率和稳定性。
    使用建议:
    - 在高电流应用中,确保散热设计符合要求,以避免过热损坏。
    - 在选择栅极电阻时,要根据应用需求平衡开关速度和功耗。
    - 为了确保最佳性能,在设计电路时参考详细的特性曲线和测试结果。

    5. 兼容性和支持


    NCE80H16采用标准的TO-220AB封装,便于与其他电子元件集成。VBsemi公司提供了详细的技术文档和支持服务,以帮助客户解决使用过程中遇到的各种问题。

    6. 常见问题与解决方案


    问题:
    - 高温工作下性能下降:
    - 解决方法:增加散热措施,如使用散热片或风扇,以维持正常的工作温度。
    - 开关频率过快导致过热:
    - 解决方法:适当减小栅极电阻,减缓开关速度,从而减少热损耗。

    7. 总结和推荐


    综上所述,NCE80H16是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET。其低通态电阻、高耐热性和快速开关特性使其在电源管理和电机驱动等领域表现出色。如果你正在寻找一种能够提供高效能和高可靠性的解决方案,那么NCE80H16无疑是一个值得考虑的选择。强烈推荐将其应用于你的下一个项目中。

NCE80H16-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V
Vds-漏源极击穿电压 80V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,3.6mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 195A
栅极电荷 -
通道数量 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

NCE80H16-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE80H16-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NCE80H16-VB NCE80H16-VB数据手册

NCE80H16-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.8305
100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
1000+ ¥ 4.9667
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