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KF3N80D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,800V,2A,RDS(ON),2600mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: KF3N80D-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KF3N80D-VB

KF3N80D-VB概述

    KF3N80D N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    KF3N80D 是一款由 VBsemi 生产的 N-通道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电源管理和工业应用。这种 MOSFET 具有低栅极电荷、低输入电容和快速开关特性,使其成为服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、照明系统(如高强度放电灯和荧光灯)以及工业应用(如焊接、感应加热、电机驱动、电池充电和可再生能源系统)的理想选择。

    技术参数


    KF3N80D 的主要技术参数如下:
    - 工作电压 (VDS):最大为 800V
    - 连续漏极电流 (ID):最大为 2.8A(TJ = 150 °C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):最大为 5A
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):典型值为 2.38Ω(VGS = 10 V,TJ = 25 °C)
    - 栅极电荷 (Qg):最大为 90nC
    - 栅极-源极电荷 (Qgs):最大为 11nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd):最大为 19nC
    - 反向恢复时间 (trr):最大为 556ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr):最大为 1.8μC
    - 存储温度范围 (Tstg):-55 °C 至 +150 °C

    产品特点和优势


    KF3N80D 在同类产品中具备多个显著特点和优势:
    - 低栅极电荷 (Qg):这使得器件具有较低的开关损耗。
    - 低输入电容 (Ciss):减小了驱动功率需求。
    - 低导通和开关损耗:优化了整体能效。
    - 雪崩能量等级 (UIS):保证了高可靠性。
    这些特点使 KF3N80D 成为高性能电源转换和工业控制应用的理想选择,从而在市场上具有较强的竞争力。

    应用案例和使用建议


    KF3N80D 可广泛应用于多种场合,例如:
    - 服务器和电信电源:在高压环境中稳定运行。
    - 开关模式电源 (SMPS):确保高效的电力转换。
    - 照明系统:在高效且可靠的条件下工作。
    使用建议包括:
    - 在设计电路时需注意散热管理,尤其是在大电流环境下。
    - 确保适当的 PCB 布局以减少寄生电感。

    兼容性和支持


    KF3N80D 与其他同类 MOSFET 兼容,可以无缝集成到现有系统中。VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,帮助客户解决问题并确保最佳性能。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何处理过高的栅极电压?
    - A: 使用合适的栅极电阻以限制电流。
    - Q: 如何降低漏极电流波动?
    - A: 优化电路布局并使用低泄漏电感变压器。
    - Q: 如何避免反向恢复电流?
    - A: 使用缓冲电路来保护 MOSFET。

    总结和推荐


    KF3N80D 在性能、可靠性和易用性方面表现出色,尤其适合高压、高频及高温应用。其独特的设计和多功能性使其成为电源转换和工业应用中的优选组件。我们强烈推荐在各种关键应用场景中使用此产品。
    请注意,以上内容是基于您提供的 PDF 文件内容整理的。如需更详细的信息,建议查阅完整的官方技术手册。

KF3N80D-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.6Ω@ 10V
Id-连续漏极电流 2A
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 800V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

KF3N80D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KF3N80D-VB数据手册

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KF3N80D-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.8594
100+ ¥ 4.4995
500+ ¥ 4.1395
2500+ ¥ 3.9595
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