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WFU1N60N-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,2A,RDS(ON),4300mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO251 可用于电源管理模块、太阳能光伏逆变器、 LED驱动器、电动工具驱动器等产品,产品具有高漏极电阻和低漏极电流,适用于多种领域和模块。
供应商型号: WFU1N60N-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WFU1N60N-VB

WFU1N60N-VB概述

    WFU1N60N N-Channel MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    WFU1N60N 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该产品以其低栅极电荷(Qg)和改善的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性等特点而著称。它特别适用于电源转换和驱动电路,在工业、消费电子和其他高功率应用领域有广泛的应用。

    2. 技术参数


    以下是WFU1N60N的关键技术参数:
    - 额定电压(VDS): 650V
    - 导通电阻(RDS(on)): 5Ω(当VGS为10V时)
    - 总栅极电荷(Qg): 11nC
    - 栅源电荷(Qgs): 2.3nC
    - 栅漏电荷(Qgd): 5.2nC
    - 最大连续漏电流(ID): 1.28A(当TC=25°C时)
    - 最大脉冲漏电流(IDM): 8A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 165mJ
    - 重复雪崩电流(IAR): 2A
    - 重复雪崩能量(EAR): 6mJ
    - 最大功耗(PD): 45W(当TC=25°C时)
    - 热阻抗(RthJA): 65°C/W
    - 最大结温(TJ): -55°C 至 +150°C

    3. 产品特点和优势


    WFU1N60N的主要优势包括:
    - 低栅极电荷:简化驱动需求,减少驱动电路复杂度。
    - 增强的耐用性:包括改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐受性。
    - 全面的特性化参数:包括完全表征的电容和雪崩电压及电流。
    - 符合RoHS指令:适用于环保要求严格的行业。

    4. 应用案例和使用建议


    WFU1N60N 主要用于以下应用场景:
    - 电源转换:如DC-DC转换器和AC-DC转换器。
    - 电机驱动:驱动各类电动机和执行器。
    - 逆变器:用于太阳能逆变器和其他工业逆变器。
    使用建议:
    - 在选择驱动电路时,需考虑其低栅极电荷和高耐久性特性。
    - 在设计热管理系统时,应关注其较高的热阻抗,并采用适当的散热措施。
    - 在测试和验证过程中,确保符合相关安全规范,如IEC 61249-2-21标准。

    5. 兼容性和支持


    WFU1N60N 与其他VBsemi的产品兼容,并且制造商提供全面的技术支持和售后服务。如有需要,客户可以联系服务热线400-655-8788以获取更多信息和支持。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及其解决方案:
    - 问题:过热现象严重
    - 解决方案:增加散热器或优化电路布局,减少热阻。
    - 问题:驱动不稳定
    - 解决方案:检查驱动电路参数设置,确保符合产品的驱动要求。
    - 问题:栅极泄漏
    - 解决方案:检查外部连接和焊接质量,避免引脚损坏或接触不良。

    7. 总结和推荐


    总体来说,WFU1N60N是一款高效能、可靠性高的N沟道MOSFET,特别适合于高功率应用。其出色的耐用性和优化的驱动特性使其成为各种工业和消费电子应用的理想选择。强烈推荐使用该产品,尤其是对性能和耐用性有严格要求的应用场景。

WFU1N60N-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4.3Ω@ 10V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Id-连续漏极电流 2A
配置 -
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

WFU1N60N-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WFU1N60N-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 WFU1N60N-VB WFU1N60N-VB数据手册

WFU1N60N-VB封装设计

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