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UD3014-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
供应商型号: UD3014-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UD3014-VB

UD3014-VB概述

    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册



    产品简介



    本产品是一款N沟道30V(D-S)MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于TrenchFET® Power MOSFET系列。它具有高效率和低导通电阻,适用于服务器电源管理和DC/DC转换等多种应用场合。该MOSFET采用表面贴装封装,确保在各种恶劣环境下仍能可靠运行。


    技术参数



    - 基本参数:
    - 漏源电压 (VDS): 30 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - 0.007 Ω (在VGS = 10 V时)
    - 0.009 Ω (在VGS = 4.5 V时)
    - 最大连续漏电流 (ID):
    - 90 A (TC = 25 °C)
    - 输入电容 (Ciss): 2201 pF
    - 输出电容 (Coss): 525 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 370 pF
    - 总栅极电荷 (Qg):
    - 35 nC (在VDS = 15 V, VGS = 10 V时)
    - 25 nC (在VDS = 15 V, VGS = 4.5 V时)

    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS): 30 V
    - 栅源电压 (VGS): ± 20 V
    - 最大脉冲漏电流 (IDM): 200 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 94.8 mJ

    - 工作环境:
    - 工作结温范围 (TJ, Tstg): -55 °C 至 175 °C
    - 最大功耗 (PD):
    - 100 W (TC = 25 °C)
    - 75 W (TC = 70 °C)


    产品特点和优势



    - 高可靠性:100% Rg和UIS测试,确保产品具有出色的可靠性。
    - 低导通电阻:在不同电压下的导通电阻分别为0.007 Ω和0.009 Ω,使得其在多种应用中表现优异。
    - RoHS合规:完全符合RoHS指令2011/65/EU,满足环保要求。
    - 广泛的应用领域:可用于服务器、DC/DC转换等领域,具有广泛的适用性。


    应用案例和使用建议



    - 应用案例:UD3014 MOSFET适用于服务器电源管理和OR-ing电路设计。例如,在服务器电源管理系统中,通过并联多个MOSFET可以实现电流分流,提高系统的稳定性和可靠性。
    - 使用建议:在使用过程中,应注意散热设计以避免过热损坏。同时,根据不同的工作电压和电流需求选择合适的栅极驱动电阻(Rg),以确保快速开关时间,减少开关损耗。


    兼容性和支持



    - 兼容性:UD3014 MOSFET采用TO-252封装,可与其他同类型的TO-252封装元器件互换使用。
    - 支持:制造商提供全面的技术支持和售后服务,包括产品选型指导、安装调试和技术培训等。


    常见问题与解决方案



    - 问题一:如何选择合适的栅极驱动电阻?
    - 解决办法:建议根据电路的实际工作频率和开关速度选择栅极驱动电阻,一般情况下,电阻值应控制在1-2 Ω之间,以达到良好的开关效果。

    - 问题二:如何避免过热损坏?
    - 解决办法:在设计散热系统时,需确保足够的散热片面积,并选择合适的工作环境温度。当温度过高时,应增加散热装置或降低电流。


    总结和推荐



    UD3014 MOSFET凭借其出色的性能、可靠的耐用性和广泛的应用领域,是服务器电源管理和DC/DC转换的理想选择。建议在需要高性能、高可靠性的应用场景中使用此产品。通过正确设计散热系统和选择合适的栅极驱动电阻,可以充分发挥其卓越性能。

UD3014-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
Id-连续漏极电流 70A
配置 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UD3014-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UD3014-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UD3014-VB UD3014-VB数据手册

UD3014-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
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