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K40A10K3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,90A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: K40A10K3-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K40A10K3-VB

K40A10K3-VB概述

    # K40A10K3-VB N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

    产品简介


    K40A10K3-VB 是一款由 VBsemi 生产的 N-Channel 沟槽栅极功率 MOSFET。它具备高可靠性和广泛的应用范围,适用于各种工业和消费电子领域。这种器件能够处理高达 100V 的电压,并具有出色的热性能和电气特性。

    技术参数


    K40A10K3-VB 的主要技术参数如下:
    - 最大源漏电压 (VDS): 100V
    - 最大栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏电流 (TC = 25°C): 90A
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS): 280mJ
    - 最大耗散功率 (TC = 25°C): 56W
    - 工作温度范围: -55°C 至 175°C
    - 静态导通电阻 (VGS = 10V, ID = 30A): 0.008Ω (TJ = 25°C)
    - 动态特性:
    - 输入电容 (Ciss): 6550pF (VGS = 0V, VDS = 25V)
    - 输出电容 (Coss): 665pF
    - 反向转移电容 (Crss): 265pF
    - 总栅电荷 (Qg): 105nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 17nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 23nC
    - 开关时间:
    - 开启延迟时间 (td(on)): 12-25ns
    - 上升时间 (tr): 90-135ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 55-85ns
    - 下降时间 (tf): 130-195ns

    产品特点和优势


    K40A10K3-VB 具有以下独特功能和优势:
    - TrenchFET® 技术: 这种先进的沟槽栅极技术确保了更高的效率和更小的封装尺寸。
    - 高可靠性: 最大工作温度可达 175°C,满足严苛环境下的应用需求。
    - 符合 RoHS 标准: 保证环保且无有害物质,符合欧盟标准。
    - 出色的电气性能: 低静态导通电阻和优异的动态特性使其在高频应用中表现出色。

    应用案例和使用建议


    K40A10K3-VB 主要应用于以下领域:
    - 电源管理: 如开关电源和逆变器。
    - 电机驱动: 在电动工具和工业自动化中用于控制电机。
    - 汽车电子: 在发动机管理系统和车身控制模块中应用。
    使用建议
    为了充分发挥 K40A10K3-VB 的性能,建议遵循以下几点:
    - 确保电路设计充分考虑散热,避免长时间处于高温状态。
    - 在开关过程中,合理设置驱动信号,以减少开关损耗。
    - 在选择外部元件时,注意其与 K40A10K3-VB 的兼容性,确保整体系统稳定运行。

    兼容性和支持


    K40A10K3-VB 与其他常见的电子元器件兼容性良好,能够方便地集成到现有电路设计中。VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,帮助客户解决应用过程中的各类问题。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 过热导致损坏
    2. 栅极驱动不当引起误操作
    解决方案
    1. 过热保护: 设计良好的散热方案,如使用散热片或散热器。
    2. 栅极驱动不当: 使用合适的驱动电路,确保栅极电压的稳定性和正确性。

    总结和推荐


    综上所述,K40A10K3-VB 是一款高性能、高可靠性的 N-Channel MOSFET,适用于多种工业和消费电子应用。其卓越的电气性能、良好的温度适应性和完善的售后服务使其成为业界的首选。强烈推荐在需要高性能和高可靠性的应用中使用 K40A10K3-VB。
    如需进一步了解或购买,请联系服务热线:400-655-8788 或访问官网 www.VBsemi.com。

K40A10K3-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
配置 -
Id-连续漏极电流 90A
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,11mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K40A10K3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K40A10K3-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K40A10K3-VB K40A10K3-VB数据手册

K40A10K3-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 4.4995
500+ ¥ 4.3194
1000+ ¥ 4.1395
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