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K32E12N1-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,100A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220适用于需要高电压耐受能力、低导通电阻和稳定性的领域和模块,如电源模块、电动汽车电机控制、工业驱动器和光伏逆变器等。
供应商型号: K32E12N1-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K32E12N1-VB

K32E12N1-VB概述

    K32E12N1-VB N-Channel MOSFET 技术手册综述

    产品简介


    K32E12N1-VB 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用先进的 TrenchFET® 技术制造,具备高可靠性、低导通电阻(RDS(on))及优异的热性能。这款器件适用于 100-V 系统电压设计,可工作在高达 175°C 的最大结温环境下,符合 RoHS 标准,广泛应用于工业控制、电机驱动、电源管理等领域。

    技术参数


    以下是 K32E12N1-VB 的关键技术参数:
    - 额定电压 (VDS):100 V
    - 最大栅极阈值电压 (VGS(th)):2 ~ 4 V
    - 最大漏极连续电流 (ID):100 A(TJ = 25°C),75 A(TJ = 125°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):300 A
    - 雪崩电流 (IAS):75 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):280 mJ
    - 最大功耗 (PD):250 W(TO-220AB),3.75 W(TO-263)
    - 热阻 (RthJA):TO-220AB:62.5°C/W;TO-263:40°C/W

    产品特点和优势


    1. 高效能与低损耗:K32E12N1-VB 的 RDS(on) 在 VGS = 10 V 时仅为 0.009 Ω,在高温条件下仍保持较低导通电阻,特别适合高频开关电路。
    2. 高可靠性:其最大结温可达 175°C,确保在极端温度条件下的稳定运行。
    3. 低栅极电荷:总栅极电荷 (Qg) 最大为 160 nC,减少开关损耗,提升效率。
    4. 抗雪崩能力:出色的雪崩能力和鲁棒的设计确保其在过压条件下的安全运行。
    5. 环保设计:符合 RoHS 和无卤素标准,满足绿色环保需求。

    应用案例和使用建议


    K32E12N1-VB 的典型应用包括:
    - 工业级逆变器和伺服电机驱动系统
    - 高效电源转换器和开关电源模块
    - 环境恶劣的应用,如新能源汽车驱动系统
    使用建议:
    1. 在高频率开关电路中,建议通过优化 PCB 布局减少寄生电感和电阻的影响。
    2. 对于极端温度环境,建议进行额外散热处理以确保器件正常运行。
    3. 结合低栅极电荷特性,优先选择高速驱动电路来实现更高的效率。

    兼容性和支持


    K32E12N1-VB 可无缝替换其他主流品牌 N 沟道 MOSFET,支持 TO-220AB 和 TO-263 封装形式。厂商提供全面的技术支持,包括详尽的数据手册、应用指南和在线客户支持平台。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 导通电阻异常增大 | 检查栅极驱动电压是否达到要求;清洁接触点 |
    | 器件发热严重 | 改善散热设计,增加外部散热器 |
    | 开关速度下降 | 检查驱动回路是否匹配,优化布线布局 |

    总结和推荐


    K32E12N1-VB N 沟道 MOSFET 以其卓越的性能、高可靠性和绿色环保设计,成为高功率应用的理想选择。对于需要频繁开关、高温运行或追求高效能的场景,推荐优先选用此产品。它不仅能够显著降低系统的整体功耗,还通过可靠的材料和设计保证长期稳定的运行表现。
    如需进一步技术支持或购买,请联系服务热线:400-655-8788 或访问官方网站 [www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)。

K32E12N1-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,20mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 100A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K32E12N1-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K32E12N1-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K32E12N1-VB K32E12N1-VB数据手册

K32E12N1-VB封装设计

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