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K4066_12-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,150A,RDS(ON),4mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性,能够满足中等功率、高电流应用的要求,是一款适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。
供应商型号: K4066_12-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4066_12-VB

K4066_12-VB概述

    K4066_12-VB MOSFET 技术手册概述



    产品简介




    K4066_12-VB 是一种 N 沟道 60 V (D-S) MOSFET,由台湾 VBsemi Electronics 公司生产。它采用先进的 TrenchFET® 技术制造,具有低热阻封装,适用于多种应用场景,包括电源管理和电机驱动等。该产品通过了 100% Rg 和 UIS 测试,确保了其稳定性和可靠性。


    技术参数




    绝对最大额定值


    | 参数 | 符号 | 极限 | 单位 |
    |------|-----|------|-----|
    | 漏源电压 | VDS | 60 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 连续漏极电流(结温 125°C) | ID | 65 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 350 | A |
    | 单脉冲雪崩电流 | IAS | 65 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 211 | mJ |
    | 最大功率耗散(结温 25°C) | PD | 220 | W |

    额定热阻


    | 参数 | 极限 | 单位 |
    |------|------|-----|
    | 结到环境热阻(板载) | RthJA | 40 | °C/W |
    | 结到壳体热阻(漏极) | RthJC | 0.65 | °C/W |

    规格参数(TA = 25°C)


    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
    |------|-----|--------|------|------|------|-----|
    | 漏源击穿电压 | VDS | VGS = 0, ID = 250 μA | 60 | - | - | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | VDS = VGS, ID = 250 μA | 2.0 | 4.0 | - | V |
    | 开启状态下漏极电流 | ID(on) | VGS = 10 V, VDS ≥ 5 V | 120 | - | - | A |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS = 10 V, ID = 30 A | - | 4 | - | mΩ |


    产品特点和优势




    K4066_12-VB 的主要特点包括:

    1. TrenchFET® 技术:提供高效率和低导通电阻,减少功耗。
    2. 低热阻封装:确保长时间运行的可靠性。
    3. 严格的测试标准:100% Rg 和 UIS 测试,确保产品的质量和可靠性。

    这些特点使得 K4066_12-VB 在各种电力管理应用中表现出色,特别是在要求高效能和高可靠性的场景中。


    应用案例和使用建议




    应用案例


    K4066_12-VB 可以广泛应用于电源管理和电机驱动系统中。例如,在开关电源中,它可以作为高效能的开关管,提高电源转换效率;在电机驱动系统中,它可以用于控制电机的启停和调速。

    使用建议


    - 散热设计:由于其较高的热阻,使用时应注意良好的散热设计,以避免过热损坏。
    - 栅极驱动电路:在驱动时,建议使用适当的栅极电阻,以避免栅极过压和过流。


    兼容性和支持




    K4066_12-VB 具有良好的兼容性,可以与其他常见的电子元件或设备配合使用。台湾 VBsemi 提供完善的技术支持和售后服务,包括详细的使用手册和技术咨询。


    常见问题与解决方案




    1. 问题:如何正确安装 MOSFET?
    解决方案:确保 MOSFET 安装在具有良好散热性能的散热片上,并使用适当的焊接技术进行连接。

    2. 问题:MOSFET 在使用过程中发热严重怎么办?
    解决方案:检查散热设计是否合理,必要时增加散热片或改进散热结构。


    总结和推荐




    K4066_12-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,具有优秀的热性能和可靠性,适用于各种电力管理应用。其紧凑的封装和良好的性价比使其成为市场上颇具竞争力的产品。综上所述,强烈推荐使用 K4066_12-VB 产品。如果您需要更多的技术支持或详细资料,请联系台湾 VBsemi 的客户服务团队。

    服务热线:400-655-8788

K4066_12-VB参数

参数
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 150A
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@ 10V
通道数量 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K4066_12-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4066_12-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K4066_12-VB K4066_12-VB数据手册

K4066_12-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
800+ ¥ 3.3111
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