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UT100N03-TA3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块,如电动车控制器、工业电源模块和焊接设备控制器等领域。
供应商型号: UT100N03-TA3-T-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT100N03-TA3-T-VB

UT100N03-TA3-T-VB概述

    # N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种高性能的电子元器件,广泛应用于各种电路设计中。其主要功能是通过控制栅极电压来调节源极与漏极之间的导通状态,从而实现电流的开关控制。本产品特别适用于OR-ing(并联选择)、服务器电源管理和DC/DC转换器等场合。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 30 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 连续漏极电流 (TJ = 175 °C):
    - TC = 25 °C: 120 A
    - TC = 70 °C: 60 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 380 A
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS): 36 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 64.8 V
    - 连续源极-漏极二极管电流 (IS): 90 A
    - 最大功率耗散 (TC = 25 °C): 250 W
    - 热阻 (RthJA): 最大40 °C/W
    额定操作条件
    - 最大结温和存储温度范围: -55 °C 至 175 °C

    产品特点和优势


    - TrenchFET® Power MOSFET: 采用先进的沟槽技术,提供低电阻和高效率。
    - 100% Rg和UIS测试: 所有产品均经过严格的电阻和雪崩测试,确保可靠性和一致性。
    - 符合RoHS指令2011/65/EU: 环保材料,符合国际标准。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - OR-ing: 用于系统冗余设计,提高系统可靠性。
    - 服务器电源管理: 确保服务器电源系统的稳定运行。
    - DC/DC转换器: 实现高效、可靠的直流电源转换。
    使用建议
    - 散热设计: 由于其高功率密度,建议使用高效的散热器以避免过热。
    - 驱动电路: 设计合适的驱动电路,确保快速开关和低功耗。

    兼容性和支持


    - 该产品具有良好的兼容性,可与其他标准MOSFET驱动电路和电源管理芯片配合使用。
    - 厂商提供详尽的技术文档和支持,包括安装指南和故障排查指南。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 加装散热片或风扇,改善散热环境 |
    | 开关速度慢 | 优化驱动电路设计,降低门极电阻 |
    | 泄漏电流过大 | 确认是否超出额定工作范围,检查是否有外部干扰 |

    总结和推荐


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET凭借其先进的技术和卓越的性能,成为现代电力电子应用中的理想选择。它不仅具备出色的电气特性和稳定性,还能有效提升系统的整体性能。根据上述详细技术参数和应用案例分析,强烈推荐该产品用于OR-ing、服务器电源管理和DC/DC转换器等场合。购买前请务必仔细阅读技术手册,确保满足具体应用需求。

UT100N03-TA3-T-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,4mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
配置 -
Id-连续漏极电流 120A
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UT100N03-TA3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT100N03-TA3-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT100N03-TA3-T-VB UT100N03-TA3-T-VB数据手册

UT100N03-TA3-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
1000+ ¥ 1.987
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
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型号 价格(含增值税)
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