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UT100N03-QL-TA3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块,如电动车控制器、工业电源模块和焊接设备控制器等领域。
供应商型号: UT100N03-QL-TA3-T-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT100N03-QL-TA3-T-VB

UT100N03-QL-TA3-T-VB概述

    # N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    本手册介绍的是VBsemi公司生产的N-Channel 30-V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品属于TrenchFET® Power MOSFET系列,专为高可靠性设计。该产品广泛应用于OR-ing、服务器和DC/DC转换等领域。
    主要功能
    该MOSFET具备强大的电流处理能力,适用于各种电源管理应用。具体而言,它能够在不同温度条件下稳定工作,并具有较高的热阻抗,确保了其在极端条件下的可靠性能。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压 \(V{DS}\): 30 V
    - 栅源电压 \(V{GS}\): ± 20 V
    - 连续漏极电流 \(ID\): 120 A (当 \(TJ = 175 °C\) 时)
    - 脉冲漏极电流 \(I{DM}\): 380 A
    - 单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\): 64.8 V
    - 最大功率耗散 \(PD\): 250 W (当 \(TC = 25 °C\) 时)
    工作环境
    - 运行结温和存储温度范围: \(-55 \text{ 至 } 175 °C\)
    热阻率
    - 最大结到环境热阻 \(R{thJA}\): 32 - 40 \(°C/W\)
    - 最大结到外壳热阻 \(R{thJC}\): 0.5 - 0.6 \(°C/W\)
    静态参数
    - 漏源击穿电压 \(V{DS}\): 30 V
    - 漏源导通电阻 \(R{DS(on)}\):
    - \(V{GS} = 10 V\): 0.003 Ω
    - \(V{GS} = 4.5 V\): 0.004 Ω
    动态参数
    - 输入电容 \(C{iss}\): 3100 pF
    - 输出电容 \(C{oss}\): 725 pF
    - 反向传输电容 \(C{rss}\): 370 pF

    产品特点和优势


    独特功能
    - TrenchFET® 技术:提供更高的开关速度和更低的导通电阻。
    - 合规性:符合RoHS 2011/65/EU指令。
    - 测试认证:100% Rg和UIS测试通过。
    市场竞争力
    - 高可靠性:适用于苛刻的工作环境。
    - 低功耗:通过低导通电阻降低功耗。
    - 广泛应用:适合多种工业和消费电子应用。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - OR-ing:用于电源管理系统,实现电源的无缝切换。
    - 服务器:作为服务器电源管理的关键组件。
    - DC/DC转换器:用于各种DC/DC转换应用。
    使用建议
    - 在高电流环境下使用时,需注意散热,建议采用合适的散热措施。
    - 配合合适的栅极驱动器,以充分发挥其开关性能。

    兼容性和支持


    兼容性
    该产品与常见的电路板设计高度兼容,可直接焊接到标准PCB上。
    支持信息
    VBsemi公司提供了详细的技术文档和应用指南,以及专业的技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    - 问题1:发热过高
    解决办法:确保安装合适的散热器,并合理规划电路布局以改善散热。
    - 问题2:电流不稳定
    解决办法:检查输入电压是否稳定,以及连接是否可靠。

    总结和推荐


    综合评估
    该N-Channel 30-V MOSFET以其高可靠性、低功耗和广泛的适用性,成为电源管理和电力转换领域的理想选择。尤其在需要高频开关和低损耗的应用场景中表现出色。
    推荐结论
    强烈推荐使用该产品,特别是对于那些寻求高性能和可靠性的应用场合。无论是在工业控制还是消费电子领域,这款MOSFET都将提供卓越的性能。

UT100N03-QL-TA3-T-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,4mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
Id-连续漏极电流 120A
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UT100N03-QL-TA3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT100N03-QL-TA3-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT100N03-QL-TA3-T-VB UT100N03-QL-TA3-T-VB数据手册

UT100N03-QL-TA3-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
1000+ ¥ 1.987
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起订量: 15 增量: 1000
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